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J-GLOBAL ID：202202240231153354   整理番号：22A1148463

GaNトランジスタを用いた40MHz帯E級インバータの実験的検討

An Experimental Study on 40MHz Class-E Inverter with GaN Transistor

著者 (2件)： 關翔太 (大阪大) ,  舟木剛 (大阪大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2022  ページ： ROMBUNNO.4-104  発行年： 2022年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・スイッチング時に電圧を0とするZVSだけでなく,電圧の時間変化率も0とするZdVS動作をするE級インバータへのGaNトランジスタの適用を検討。
・GaNトランジスタの駆動回路と,それを適用したE級インバータを作製し,40MHzでの直流-交流変換を実現し,作製したE級インバータは10Wの出力で電力変換効率80.8%を達成。

シソーラス用語： *トランジスタ ,  VHF【周波数】 ,  周波数帯 ,  零電圧スイッチング ,  駆動回路 ,  *直交流変換 ,  効率 ,  *インバータ ,  応答特性 ,  信号解析 ,  信号特性 ,  スイッチング損失
準シソーラス用語： *E級インバータ ,  *GaNトランジスタ ,  ZVS【電圧】 ,  時間応答 ,  電力変換効率

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (3件)：

• M. Okamoto, et al. :′′13.56-MHz Class-E RF power amplifier using normally-on GaN HEMT,′′ IECON 2014 - 40th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, 2014, pp. 982-987
• X. Wei, et al. : ′′Design of Class-E Amplifier With MOSFET Linear Gate-to-Drain and Nonlinear Drain-to-Source Capacitances,′′ in IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 58, no. 10, pp. 2556-2565(2011)
• M. Kazimierczuk : “Effects of the collector current fall time on the class E tuned power amplifier”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.18, No.2, pp181-193(1983)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  トランジスタ ,  インバータ ,  実験