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J-GLOBAL ID：202202240317436476   整理番号：22A0497549

太陽電池用ポテンシャルバッファ層としてのZnSe薄膜の種々の真空アニーリングレベルの解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of different vacuum annealing levels for ZnSe thin films as potential buffer layer for solar cells

著者 (7件)： Chasta Gaurav (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur, India) ,  Himanshu (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur, India) ,  Patel S. L. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur, India) ,  Chander S. (Department of Chemical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Mohali, Mohali, India) ,  Chander S. (Department of Physics, Panjab University, Chandigarh, India) ,  Kannan M. D. (Department of Physics, PSG College of Technology, Coimbatore, India) ,  Dhaka M. S. (Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 1  ページ： 139-157  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電位バッファ層を探索するために,電子ビーム蒸着亜鉛セレン(ZnSe)薄膜に対する物理特性に及ぼす異なる真空アニーリングレベルの影響を,ここで詳しく調べた。真空アニールしたZnSe膜のX線回折パターンは,結晶サイズが最大(29nm)である立方晶相の顕著な(111)反射を確認した。これらのZnSe膜では波状の光透過率スペクトルが観察され,可視領域ではより高い透明性が観測された。光学的バンドギャップ(2.56~2.81eV)の青方偏移と2.49~2.40の屈折率の縮小が真空レベルの増加とともに観測された。HRTEM画像は格子面の(111),(220)および(311)配向を示し,EDSパターンはZnSe膜の堆積を確認した。解析したZnSe薄膜のオーム特性をI-V特性によって検証し,抵抗率が真空アニールで102Ωcm,そして元の膜で104Ωcmのオーダーで見いだされた。AFM像から,粗さが真空レベルで変化することが分かった。ZnSe膜の物理特性は真空アニーリングレベルによって顕著に調整され,この知見は太陽電池への潜在的緩衝層として,ΔΣ5×10-3mbar真空アニールZnSe薄膜の使用を推奨する。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  焼なまし ,  *太陽電池 ,  電位 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  電流電圧特性 ,  スペクトル ,  立方晶系 ,  *セレン化亜鉛 ,  青方偏移 ,  電子ビーム蒸着 ,  *バッファ層 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 太陽電池 ,  ポテンシャル ,  バッファ層 ,  ZnSe ,  薄膜 ,  真空 ,  アニーリング ,  解析