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J-GLOBAL ID：202202240468083992   整理番号：22A0433702

シリコンロッド上のSi機構へのSiHCl_3還元の結晶ファセット依存性【JST・京大機械翻訳】

Crystal facet dependence of SiHCl₃ reduction to Si mechanism on silicon rod

著者 (6件)： Peng Mao (School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, Tianjin 300350, China) ,  Shi Baozhao (School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, Tianjin 300350, China) ,  Han You (School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, Tianjin 300350, China) ,  Li Wei (School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, Tianjin 300350, China) ,  Zhang Jinli (School of Chemical Engineering and Technology, Tianjin University, Tianjin 300350, China) ,  Zhang Jinli (School of Chemistry and Chemical Engineering, Shihezi University, Shihezi 832003, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 580  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンロッドと気相におけるSiHCl_3分解の機構を明らかにすることは,SiHCl_3からの多結晶シリコン製造の技術の強化に著しい影響を与える。本研究では,密度汎関数理論(DFT)により,シリコン結晶(111),(110)および(100)の低指数平面上のSiHCl_3分解の機構を調べ,さらに気相における機構を検討した。SiへのSiHCl_3の分解は,最も高い原子密度と強いSi-Si結合によりSi(111)ファセット上に主に形成される。最も好ましい経路はSiHCl_3→SiCl_3+H→SiCl_2+Cl→SiCl+Cl→Si+Clであった。Si(110)とSi(100)上の3つの配位Si原子は同じ平面でない。Si(110)とSi(100)はSiへのSiHCl_3分解に有利ではなかった。気相反応において,SiCl_4へのSiHCl_3分解はSi生成よりも有利である。速度論において,シリコンロッドの温度が気相中より高いとき,Siの生成はSiCl_4より多くの利点を有する。この知見は,多結晶シリコン製造におけるシリコン結晶の結晶ファセット構造依存性能に関する我々の理解を強化し,シリコンロッドのより多くの(111)表面積を曝露し,反応器内の流れ場と温度分布を最適化することにより,SiへのSiHCl_3分解を促進する有用な指針を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度分布 ,  最適化 ,  表面積 ,  *ケイ素 ,  気相反応 ,  反応器 ,  温度依存性 ,  速度論 ,  気相 ,  *ファセット ,  密度汎関数法 ,  流れ場 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： 構造依存性 ,  原子密度 ,  シリコン(100) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiHCl_3還元 ,  密度汎関数理論 ,  シリコンファセット ,  気相反応 ,  Si形成

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： シリコン ,  ロッド ,  Si ,  還元 ,  結晶 ,  ファセット ,  依存性