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J-GLOBAL ID：202202240645502407   整理番号：22A0396840

デバイスSOAを再特定するためのマルチチップ高出力モジュールと対応する方法の間の不均一温度分布のモデルおよび解析への新しいアプローチ【JST・京大機械翻訳】

A Novel Approach to Model and Analyze Uneven Temperature Distribution Among Multichip High-Power Modules and Corresponding Method to Respecify Device SOA

著者 (7件)： Wang Jianpeng (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Chen Wenjie (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Zhang Jin (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Xu Meng (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Wang Laili (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Liu Jinjun (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Gan Yongmei (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 37  号： 4  ページ： 4626-4640  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最も広く使われている電力半導体デバイスとして,絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールは,通常,所望の電流能力を達成するために,並列IGBTチップから成る。しかし,各チップの電熱挙動は非対称レイアウトにより著しく異なり,単一チップの過熱リスクを増加させた。したがって,本論文では,並列チップ間の不均等な温度分布を考慮して,インバータアプリケーションにおけるマルチチップIGBTモジュールの熱安全運転領域を記述する新しい方法を提案した。このアプローチの新規性は,提案した解析モデルを不均等な電熱挙動を記述し,従来の平均化プロセスを回避することである。不均等な動的電流共有と熱クロスカップリング効果である不整合温度分布の深い機構を明らかにするために,包括的な調査を行った。これに対応して,不均等なスイッチング損失の解析モデルと冷却性能に関連する熱抵抗行列の標準形式を提案し,さらに検証した。提案した手法に基づいて,異なる定格デバイスの推奨操作領域を完全に記述した。本論文の貢献は,インバータ適用のための安全でコスト効率の良い設計を達成するために,より十分に基礎のあるデバイス選択を可能にする。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *温度分布 ,  電流 ,  熱抵抗 ,  半導体素子 ,  電力 ,  電気加熱 ,  定格 ,  非対称性 ,  応用プログラム ,  過熱 ,  IGBT ,  交差カップリング反応 ,  解析モデル ,  スイッチング損失
準シソーラス用語： 冷却能力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： SOA ,  マルチ ,  高出力 ,  モジュール ,  不均一 ,  温度分布 ,  モデル ,  解析