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J-GLOBAL ID：202202240660468248   整理番号：22A1100925

表面粗さ散乱への異方性バレーナノドットを用いた極薄ボディnMOSFETの最適チャネル設計【JST・京大機械翻訳】

Optimum Channel Design of Extremely-Thin-Body nMOSFETs Utilizing Anisotropic Valley-Robust to Surface Roughness Scattering

著者 (5件)： Sumita Kei (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Chen Chia-Tsong (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Toprasertpong Kasidit (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takagi Shinichi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 2115-2121  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に薄い体(ETB)ナノシートチャネルは,将来の技術ノードにおける相補的金属酸化鉛鉱半導体デバイスの最も有望な構造と考えられている。しかし,表面粗さ散乱による移動度劣化は重大な課題である。本論文では,重い閉じ込め質量を有する異方性谷がETBチャネルにおける表面粗さ散乱に対して非常にロバストであることを提案した。表面粗さ散乱の修正物理モデルは,ETBチャネルにおける移動度を定量的に予測することを可能にする。本モデルは,直接測定した粗さパラメータの下で実験移動度と良好に一致した。このモデルに基づいて,(100)Si,(100)および(111)Geの最適ETBチャネルおよび(111)InAsを2nmまで評価した。シミュレーション結果は,(111)Geオンインシュレータ(GOI)が,L谷の強い異方性と,Siと2D材料を超える利点である2nm厚チャネルにおける優れた電子移動度のため,最も有望なことを示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  異方性 ,  キャリア移動度 ,  酸化 ,  *散乱 ,  シミュレーション ,  半導体素子 ,  ケイ素 ,  *MOSFET ,  ヒ化インジウム ,  鉛鉱 ,  二次元 ,  チャネル ,  ロバスト性
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  物理モデル ,  *nMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 表面粗さ ,  散乱 ,  異方性 ,  ナノドット ,  極 ,  ボディ ,  nMOSFET ,  チャネル ,  設計