AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAl_0.9Ga_0.1N/GaNヘテロ構造中に形成された薄いGaNチャネルの輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Bassaler Julien; Comyn Remi; Bougerol Catherine; Cordier Yvon; Medjdoub Farid; Ferrandis Philippe

文献

J-GLOBAL ID：202202240879087648 整理番号：22A1082405

AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAl_0.9Ga_0.1N/GaNヘテロ構造中に形成された薄いGaNチャネルの輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Transport properties of a thin GaN channel formed in an Al_0.9Ga_0.1N/GaN heterostructure grown on AlN/sapphire template

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資料名：
巻： 131 号： 12 ページ： 124501-124501-8 発行年： 2022年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

大きな接触距離に対する10kV以上の高い横方向破壊電圧と短い接触距離に対する5MVcm-1の絶縁破壊場にもかかわらず,AlN/サファイアテンプレート上に成長した8nm歪GaNチャネルを有するAl_0.9Ga_0.1N/GaNヘテロ構造は,低い異方性移動度を被った。本研究は,この問題を解明するために材料研究を扱う。転位は,透過型電子顕微鏡写真における成長方向に沿って観察され,(11-20)面においてより多かった。ステップはGaNチャネル界面でこの平面でも検出された。デバイスシミュレーションと静的キャラクタリゼーションの助けにより,深準位過渡分光法技術は,GaNチャネルに位置する5つのトラップを同定できた。それらのほとんどは窒素またはガリウム空孔関連欠陥と関連し,バッファと障壁とのGaNの界面に局在化することが期待される。これらの電気的活性欠陥は二次元電子ガス中の移動度の低減に寄与すると思われる。さらに,結晶学的方位に対するチャネル界面の移動度と品質の依存性の間にリンクを確立した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ , 半導体薄膜

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