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J-GLOBAL ID:202202241374735928   整理番号:22A0396152

40nm,64-Kb,56.67 TOPS/W電圧検出計算-メモリ/ディジタルRRAMマクロ支援反復書込みを検証とオンライン読取-擾乱検出で支援するメモリ/ディジタルRRAMマクロ【JST・京大機械翻訳】

A 40-nm, 64-Kb, 56.67 TOPS/W Voltage-Sensing Computing-In-Memory/Digital RRAM Macro Supporting Iterative Write With Verification and Online Read-Disturb Detection
著者 (6件):
資料名:
巻: 57  号:ページ: 68-79  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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コンピューティングインメモリ(CIM)アーキテクチャは,高スループットエネルギー効率の良い人工知能(AI)システムの実現において重要性を獲得した。抵抗RAM(RRAM)は,多重および累積(MAC)フレンドリー構造,高ビット密度,CMOSプロセスとの両立性,および不揮発性のため,CIMアーキテクチャのための有望な候補である。RRAM技術の進歩にもかかわらず,RRAMアレイの信頼性は,信頼できるRRAMベースのCIMアーキテクチャを達成するために,回路技術ジョイントアプローチが必要であるように,RRAMアプリケーションの普及を妨げる。本論文は,64kbハイブリッドCIM/ディジタルRRAMマクロサポートを示した。1)アクティブフィードバックベース電圧センシング読取(RD)は,RRAMアレイにおける低抵抗状態に対する高抵抗状態の低抵抗比の下で,1-8bプログラマブルベクトル行列乗算を可能にする。2)厳密な抵抗分布を確保するための検証による反復書き込み;3)CIM中の背景におけるオンラインRD擾乱検出。40nm CMOSとRRAMプロセスで製作した試験チップは,56.67 TOPS/Wのピークエネルギー効率を達成し,一方,1×8b入力と重みと20-b出力の8ビットラインハイブリッドCIM/ディジタルMAC動作を量子化なしで実証した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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