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J-GLOBAL ID：202202241782853091   整理番号：22A0324648

二重活性層構造を有するAl_2O_3絶縁体とInAlZnO薄膜トランジスタの性質に及ぼす原子層堆積温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Atomic-Layer-Deposition temperature on the properties of Al₂O₃ insulators and InAlZnO Thin-Film-Transistors with Dual-Active-Layer structure

著者 (3件)： Xu Weidong (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Zhang Guanqun (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China) ,  Feng Xianjin (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 578  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重活性層構造を有するAl_2O_3ゲート絶縁体とInAlZnO(IAZO)薄膜トランジスタ(TFTs)の特性に及ぼす原子層堆積(ALD)温度の影響を系統的に研究した。150°Cで作製されたAl_2O_3膜は,キャパシタンスと絶縁破壊特性と同様に最高の表面形態を有し,対応するIAZO TFTは,高い飽和移動度(11.39cm2V-1s-1),低い閾値電圧(0.32V),小さなサブ閾値スイング(0.13Vdec-1)および理想的なオンオフ電流比(1.25×108)を有する最適な全体的性能を示した。150°C蒸着Al_2O_3絶縁体を用いたIAZO TFTも優れた照明信頼性と良好な正のバイアスストレス(PBS)安定性を示した。特に,Al_2O_3とIAZO間のバンドオフセットを調べ,IAZO TFTのPBS機構をよりよく理解した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  絶縁破壊 ,  電圧 ,  電流 ,  信頼性 ,  *薄膜トランジスタ ,  性能指数 ,  非晶質 ,  静電容量 ,  蒸着 ,  *活性層 ,  バンドオフセット ,  ゲート絶縁膜 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 表面形態 ,  閾値電圧 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Al_2O_3成長温度 ,  非晶質InAlZnO TFT ,  バンドオフセット ,  電気的安定性 ,  照明信頼性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 活性層 ,  絶縁体 ,  薄膜トランジスタ ,  性質 ,  原子層堆積