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J-GLOBAL ID：202202242064274744   整理番号：22A0482541

4H-SiC NPN多層構造を有する双方向Bias応答紫外フォトトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Bidirectional Bias Response Ultraviolet Phototransistors With 4H-SiC NPN Multi-Layer Structure

著者 (8件)： Sun Chenyue (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Guo Hui (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Yuan Lei (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Yang Haohang (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Tang Xiaoyan (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Zhang Yimeng (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Song Qingwen (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi, China) ,  Zhang Yuming (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, Shaanxi, China)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 34  号： 2  ページ： 81-84  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 双方向バイアス応答を有する炭化ケイ素(SiC)紫外線(UV)フォトトランジスタを作製し,このレターで分析した。その結果,作製したUVフォトトランジスタは,エピ層の構造設計により,順方向および逆電圧下で安定な光電応答特性とトランジスタ特性を示し,一方,双方向応答の機構も研究した。UV照明の種々のバイアス電圧と波長の下の光電流の違いは,主に波長による吸収係数の変化および空間電荷領域の幅の変化によるもので,最終的に光生成キャリアの数の差につながった。検出器の時間応答特性から,検出器をオンオフすると,時間遅延があり,ベースコレクタ接合の空乏層における光少数キャリアに起因することが分かった。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  光電流 ,  紫外線 ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  応答特性 ,  波長 ,  炭化ケイ素 ,  *フォトトランジスタ ,  *多層構造 ,  構造設計 ,  少数キャリア ,  空乏層
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  多層構造 ,  双方向 ,  応答 ,  フォトトランジスタ