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J-GLOBAL ID：202202242204794498   整理番号：22A0414989

2D Bi_2Se_3の低エネルギー酸素プラズマ注入は高度に制御可能な抵抗ランダムアクセスメモリを実現する【JST・京大機械翻訳】

Low-Energy Oxygen Plasma Injection of 2D Bi₂Se₃ Realizes Highly Controllable Resistive Random Access Memory

著者 (17件)： Yin Chujun (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Yin Chujun (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Gong Chuanhui (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, P. R. China) ,  Tian Siying (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Tian Siying (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Cui Yi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, P. R. China) ,  Wang Xuepeng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, P. R. China) ,  Wang Yang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, P. R. China) ,  Hu Zhenheng (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Hu Zhenheng (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Huang Jianwen (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, P. R. China) ,  Wu Chunyang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, P. R. China) ,  Chen Bo (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Chen Bo (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Wang Xianfu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, P. R. China) ,  Li Chaobo (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, P. R. China) ,  Li Chaobo (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 32  号： 1  ページ： e2108455  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄2D材料に基づく抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)は,将来のデータ蓄積と神経形態学的コンピューティング技術のための非常に実行可能な解決策であると考えられている。しかし,可制御性と安定性は,実用化のために解決する必要がある問題である。ここでは,超低エネルギープラズマを用いた無損傷イオン注入技術の導入により,空間電荷制限電流とSchottky放出の輸送機構を実現し,2D Bi_2Se_3ナノシートに基づくRRAMで制御した。メムリスタは,高い抵抗スイッチング比(>104),優れたサイクリング耐久性(300サイクル)および大きな保持性能(>104s)を有する安定な抵抗スイッチング挙動を示した。酸素プラズマ注入によって付与されたBi_2Se_3メモリの信頼性と制御性は,2D RRAMの応用におけるこの超低エネルギーイオン注入技術の大きな可能性を実証した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  空間電荷制限電流 ,  *プラズマ ,  信頼性 ,  可制御性 ,  *酸素 ,  イオン注入 ,  データ蓄積 ,  *プラズマ入射 ,  *二次元 ,  ナノシート
準シソーラス用語： *低エネルギー ,  抵抗スイッチング ,  *ReRAM ,  メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Bi_2Se_3ナノシート ,  低エネルギー酸素プラズマ注入 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 2D ,  低エネルギー ,  酸素プラズマ ,  注入 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ