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J-GLOBAL ID：202202243094186318   整理番号：22A0982310

トップコンタクト電極の非対称化学官能化:高性能MoS_2電界効果トランジスタとSchottkyダイオードのための電荷注入の調整【JST・京大機械翻訳】

Asymmetric Chemical Functionalization of Top-Contact Electrodes: Tuning the Charge Injection for High-Performance MoS₂ Field-Effect Transistors and Schottky Diodes

著者 (8件)： Han Bin (Universite de Strasbourg, CNRS, ISIS, 8 allee Gaspard Monge, Strasbourg, 67000, France) ,  Zhao Yuda (Universite de Strasbourg, CNRS, ISIS, 8 allee Gaspard Monge, Strasbourg, 67000, France) ,  Ma Chun (Universite de Strasbourg, CNRS, ISIS, 8 allee Gaspard Monge, Strasbourg, 67000, France) ,  Wang Can (Universite de Strasbourg, CNRS, ISIS, 8 allee Gaspard Monge, Strasbourg, 67000, France) ,  Tian Xinzi (Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, School of Science, Tianjin University & Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Tianjin, 300072, China) ,  Wang Ye (Universite de Strasbourg, CNRS, ISIS, 8 allee Gaspard Monge, Strasbourg, 67000, France) ,  Hu Wenping (Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic Sciences, Department of Chemistry, School of Science, Tianjin University & Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Tianjin, 300072, China) ,  Samori Paolo (Universite de Strasbourg, CNRS, ISIS, 8 allee Gaspard Monge, Strasbourg, 67000, France)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 34  号： 12  ページ： e2109445  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2Dチャネル材料に基づく高性能(opto-)電子素子の製作は,電極-半導体界面での電荷注入の最適化を必要とする。化学吸着した自己組織化単分子膜による化学的官能化は,ボトムコンタクトデバイスにおける金属電極の仕事関数を調節するために広く利用されてきたが,そのような戦略は,増強された電荷注入特性を提供することが知られているにもかかわらず,トップコンタクト構成に対して実証されていない。ここでは,化学予備修飾電極の移動を介して,トップコンタクト電界効果トランジスタ(FET)で金電極を官能化するための新しい接触工学法を開発した。二硫化モリブデン(MoS_2)FETのソースとドレインAu電極を,異なる双極子モーメントを有するチオール化分子で官能化した。電子供与分子による電極の修飾はデバイス性能の著しい改善をもたらすが,対向双極子モーメントを有する異なる分子によるソースとドレイン電極の非対称官能化は,約103の整流比を有する高性能Schottkyダイオードの作製を可能にする。トップコンタクトMoS_2FETにおける電荷注入を調整するこの前例のない戦略は,非対称電荷注入が必要とされる高性能(オプト)電子素子の作製に一般的応用性があり,需要のデバイス特性の調整を可能にする。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  最適化 ,  仕事関数 ,  双極子モーメント ,  半導体 ,  *電極 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *非対称性 ,  *キャリア注入 ,  整流 ,  *官能化 ,  ソース【半導体】 ,  化学修飾電極 ,  金電極
準シソーラス用語： デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電荷注入 ,  整流 ,  Schottky障壁 ,  自己組織化単分子層 ,  トップコンタクトボトムゲート

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： トップ ,  コンタクト ,  非対称 ,  化学 ,  官能化 ,  高性能 ,  電界効果トランジスタ ,  Schottkyダイオード ,  電荷注入