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J-GLOBAL ID：202202243430550429   整理番号：22A0327733

nc-SiO_x≧0:Hベースのトンネル再結合接合の基本動作機構【JST・京大機械翻訳】

The fundamental operation mechanisms of nc-SiOX≧0:H based tunnel recombination junctions revealed

著者 (8件)： de Vrijer Thierry (Photovoltaic Materials and Devices, TU Delft, Mekelweg 4, Delft 2628CD, The Netherlands) ,  van Nijen David (Photovoltaic Materials and Devices, TU Delft, Mekelweg 4, Delft 2628CD, The Netherlands) ,  Parasramka Harsh (Photovoltaic Materials and Devices, TU Delft, Mekelweg 4, Delft 2628CD, The Netherlands) ,  Procel Moya Paul A. (Photovoltaic Materials and Devices, TU Delft, Mekelweg 4, Delft 2628CD, The Netherlands) ,  Procel Moya Paul A. (Instituto de Micro y Nanoelectronica, Universidad San Francisco de Quito, Diego de Robles s/n, Quito 170901, Ecuador) ,  Zhao Yifeng (Photovoltaic Materials and Devices, TU Delft, Mekelweg 4, Delft 2628CD, The Netherlands) ,  Isabella Olindo (Photovoltaic Materials and Devices, TU Delft, Mekelweg 4, Delft 2628CD, The Netherlands) ,  Smets Arno H.M. (Photovoltaic Materials and Devices, TU Delft, Mekelweg 4, Delft 2628CD, The Netherlands)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 236  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2端子多重接合(MJ)光起電力(PV)素子は,単一PV接合を参照して,太陽から電気への電力変換を増加させるための十分に確立された概念である。多重接合PVデバイスでは,2つの連続サブセルをトンネル再結合接合(TRJ)を用いて相互接続し,1つのサブセルの光励起正孔が他のサブセルの光励起電子と再結合した。理想的なTRJは非整流挙動とのオーム接触である。p-およびn-ドープシリコン-酸化物に基づくTRJを,トンネルおよびトラップ支援トンネリングが5~20nmの幅にわたってTRJの再結合速度論を規則づける多様なハイブリッド多接合PVデバイスに首尾よく適用した。この寄稿では,p-およびn-ドープシリコンおよびシリコン-酸化物合金に基づくトンネル再結合接合の定性的基本的作動原理を,TRJアーキテクチャにおける構造変化と組み合わせたタンデムラボセル(4つの異なるPV材料に基づく4タイプ)のユニークなセットに基づく電気的モデリングおよび実験の両方を用いて明らかにした。本研究は,シリコン酸化物ベースのTRJの積分のための設計規則における結果を示し,連続サブセルの伝導と価電子帯の整列,非晶質と結晶相の成長,および基板またはシード層へのその依存性,およびTRJ層のナノスケール厚さに対する,TRJのドーピング濃度に対する電気的性能の感度への基本的洞察を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  光起電力 ,  *再結合 ,  正孔 ,  トンネル効果 ,  光ポンピング ,  ケイ素 ,  濃度依存性 ,  半導体接合 ,  ドーピング ,  直列接続 ,  価電子バンド ,  整流 ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： シード層 ,  ナノスケール ,  多重接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： トンネル再結合接合 ,  多重接合 ,  タンデムPV ,  シリコンヘテロ接合 ,  薄膜シリコン ,  アモルファスシリコン ,  ナノ結晶シリコン ,  アモルファスシリコンゲルマニウム

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： NC ,  トンネル ,  再結合 ,  基本動作