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J-GLOBAL ID：202202243446625506   整理番号：22A1121267

高温およびトラップはAl_0.35Ga_0.65N/GaN/Al_0.25Ga_0.75N二重ヘテロ接合の特性評価【JST・京大機械翻訳】

High temperature and trap sates characterization of Al_0.35Ga_0.65N/GaN/Al_0.25Ga_0.75N double heterojunction

著者 (9件)： Zhao Shenglei (Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Mei Bo (China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China) ,  Sun Yi (China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China) ,  Cao Shuang (China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China) ,  Zhang Yachao (Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Yachao (China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China) ,  Zhu Dan (Xi’an Institute of Space Radio Technology, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Jincheng (Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 36  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Al_0.35Ga_0.65N/GaN/Al_0.25Ga_0.75N二重ヘテロ接合について,高温およびトラップセート特性を調べた。高AlAlGaN障壁と背面障壁層を用いることにより,200°Cの最大電流は35%減少し,これは従来の二重ヘテロ接合の58%低減よりはるかに低い。I_ON/I_OFF比は200°Cで4.6×107と高く,高AlAlGaN障壁層の優れた高温特性を示した。Al_0.35Ga_0.65N/GaN/Al_0.25Ga_0.75N二重ヘテロ接合に対して,3.57×1011~1.37×1013cm-2eV-1の浅いトラップ状態密度D_Tは,0.259~0.322eVの範囲のエネルギーE_Tに位置し,0.237~2.19×1013cm-2eV-1の深いD_Tは,0.388~0.441eVの範囲のエネルギーE_Tに位置した。高AlAlGaN障壁と背面障壁を有するヘテロ接合のトラップ密度は,低AlAlGaN背面障壁を有するヘテロ接合のものより低い。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *高温 ,  障壁 ,  電流 ,  特性 ,  比率 ,  状態密度 ,  *窒化ガリウム ,  HEMT ,  パワーエレクトロニクス
準シソーラス用語： バリア層 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  高温特性 ,  トラップ密度 ,  *二重ヘテロ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  HEMT ,  AlGaNバックバリア ,  トラップ状態 ,  パワーエレクトロニクス

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トラップ ,  GaN ,  二重ヘテロ接合 ,  特性評価