Zhao Shenglei について
Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China について
China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China について
Cao Shuang について
China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China について
Zhang Yachao について
Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Zhang Yachao について
China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China について
Zhu Dan について
Xi’an Institute of Space Radio Technology, Xi’an 710071, China について
Zhang Jincheng について
Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Hao Yue について
Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Results in Physics について
ヘテロ接合 について
高温 について
障壁 について
電流 について
特性 について
比率 について
状態密度 について
窒化ガリウム について
HEMT について
パワーエレクトロニクス について
バリア層 について
窒化アルミニウムガリウム について
高温特性 について
トラップ密度 について
二重ヘテロ接合 について
GaN について
HEMT について
AlGaNバックバリア について
トラップ状態 について
パワーエレクトロニクス について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
トランジスタ について
トラップ について
GaN について
二重ヘテロ接合 について
特性評価 について