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J-GLOBAL ID：202202243801214714   整理番号：22A0324711

薄膜トランジスタ応用のためのIGTO薄膜の耐放射線性に及ぼすAl_2O_3表面不動態化の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of Al₂O₃ surface passivation on the radiation hardness of IGTO thin films for thin-film transistor applications

著者 (5件)： Hwang Seong-Hyun (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Seoul 06974, South Korea) ,  Yatsu Kie (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Seoul 06974, South Korea) ,  Lee Dong-Ho (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Seoul 06974, South Korea) ,  Park Ick-Joon (Department of Electrical and Electronic Engineering, Joongbu University, Goyang 10279, South Korea) ,  Kwon Hyuck-In (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, Seoul 06974, South Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 578  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,酸化インジウムスズ(Al_2O_3)表面不動態化が,IGTO薄膜トランジスタ(TFT)のインジウム-ガリウム-スズ酸化物(IGTO)薄膜の照射損傷と放射線硬度に及ぼす影響を調べた。1013cm-2の線量で3.5MeV陽子ビームを用いてTFTの放射線硬度を調べた。得られた結果から,Al_2O_3不動態化層の厚さが減少すると,放射硬度が著しく改善されることが観察された。さらに,スパッタリングを用いて作製したAl_2O_3薄膜で不動態化したIGTO TFTは,膜厚が同じであっても,原子層堆積法を用いて形成したAl_2O_3薄膜で不動態化したものよりも高い放射線抵抗を示した。陽子照射の前後で種々のAl_2O_3/IGTO試料で行った薄膜分析から,Al_2O_3不動態化層の厚さと堆積法は,陽子照射後のIGTO薄膜内の酸素空孔と水素の濃度にかなり影響することが観察された。全体として,著者らの結果は,不動態化層が酸化物TFTの放射線硬度に著しく影響し,放射線耐性酸化物TFTを得るために,不動態化層の厚さと蒸着技術を最適化する必要があることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  照射損傷 ,  *薄膜 ,  陽子照射 ,  陽子ビーム ,  水素 ,  *放射線 ,  *不動態化 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化スズ ,  放射線量 ,  *耐放射線性 ,  酸化インジウムスズ
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  *表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： インジウム-ガリウム-スズ酸化物 ,  Al_2O_3不動態化層 ,  陽子ビーム ,  放射線硬度 ,  薄膜トランジスタ

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜トランジスタ ,  応用 ,  薄膜 ,  耐放射線性 ,  表面不動態化