文献

J-GLOBAL ID：202202243904740175   整理番号：22A1035950

超広帯域発光開口を有する高出力準cw半導体レーザ(1060nm)【JST・京大機械翻訳】

High-power quasi-cw semiconductor lasers (1060 nm) with an ultra-wide emitting aperture

著者 (6件)： Slipchenko S O (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg) ,  Romanovich D N (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg) ,  Kapitonov V A (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg) ,  Bakhvalov K V (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg) ,  Pikhtin N A (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg) ,  Kop’ev P S (Ioffe Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg)
資料名： Quantum Electronics  (Quantum Electronics)
巻： 52  号： 4  ページ： 340-342  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0044C  ISSN： 1063-7818  CODEN： QUELEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 発光開口800μm幅と連続p接触を有する高出力準cw半導体レーザを開発した。1msのパルス持続時間,10Hzの繰返し速度,および波長1060-1070nmにおける87Wの最大ピークパワーを有するレーザ動作を,97Aのam振幅を有する電流パルスによるポンピングの下で実証した。実験推定値は,97Aの電流でのレーザパルスの端での活性領域の過熱が36.7°Cに達することを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *発光 ,  *半導体レーザ ,  波長 ,  活性部位 ,  開口 ,  レーザパルス ,  パルス幅 ,  *広帯域 ,  推定量
準シソーラス用語： 繰返し速度 ,  パルス電流 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 広帯域 ,  高出力 ,  CW ,  半導体レーザ