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J-GLOBAL ID:202202244283576547   整理番号:22A0430965

60~900°Cの極低温におけるH_2Oプラズマを用いたプラズマ増強原子層蒸着による多結晶および高純度SnO_2膜【JST・京大機械翻訳】

Polycrystalline and high purity SnO2 films by plasma-enhanced atomic layer deposition using H2O plasma at very low temperatures of 60-90 °C
著者 (6件):
資料名:
巻: 196  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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低堆積温度(<100°C)で成長させた優れた結晶度,純度および高密度の高品質SnO_2膜は,フレキシブルエレクトロニクスおよびエネルギーデバイスへの応用のために必須である。本研究では,Sn前駆体と反応物としてジメチルアミノ-2-メチル-2-プロポキシ-スズ(II)(Sn(dmamp)_2)とH_2Oプラズマを用いて,それぞれ60~90°Cの非常に低い堆積温度でSnO_2膜のプラズマ増強原子層堆積(PEALD)を実証した。これらの膜は,Sn(dmamp)_2とH_2Oプラズマ間の優れた反応性のために,0.24~0.30nm/サイクルのサイクルあたり高い成長を示した。これらの膜は,6.20-6.68g・cm-3の著しく高い密度を持ち,これは,異なる前駆体/反応物の組み合わせを用いてALDによって作製された以前に報告されたSnO_2膜と比較して,著しく優れている。SnO_2膜は堆積温度に関係なく無視できる不純物濃度を示した。SnO_2膜の多結晶構造をX線回折と透過電子顕微鏡測定により確認した。60~90°Cの低温で堆積したこれらの膜は優れた電気特性,すなわち3×1016~3×1018/cm3の高いキャリア濃度と4.20~57.2Ωcmの低い抵抗率を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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