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J-GLOBAL ID：202202244359306408   整理番号：22A0804434

Sn-Ag-Ti合金フィラーを用いたSiC基板の直接活性接合におけるTiの役割【JST・京大機械翻訳】

Role of Ti in direct active bonding of SiC substrate using Sn-Ag-Ti alloy filler

著者 (5件)： Cheng L. X. (College of Electronic Engineering, South China Agricultural University, Guangzhou, China) ,  Ma K. B. (China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute, Guangzhou, China) ,  Yue X. J. (College of Electronic Engineering, South China Agricultural University, Guangzhou, China) ,  Li Z. L. (School of Preclinical Medicine, Zunyi Medical University Zhuhai Campus, Zhuhai, China) ,  Li G. Y. (School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 6  ページ： 3331-3347  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)活性はんだフィラーを用いた炭化ケイ素基板の低温活性接合を,空気中,それぞれ250°Cと420°Cで行った。界面の微細構造,元素分布,および界面に形成された新しい化合物を調べた。炭化けい素(SiC)/Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)界面でのチタンの明白な偏析を,両方のはんだ付け温度に対して観察し,その中で,Tiの拡散係数が温度の指数関数であるので,420°Cにおける偏析率は,250°Cにおけるそれより速かった。透過電子顕微鏡解析の結果は,Tiの偏析が境界に存在するにもかかわらず,250°Cで60分間はんだ付けした継手のSiC/Sn3.5Ag5Ti(Ce,Ga)界面での反応物は観察されなかった。しかし,TiC,Ti_5Si_3およびTiSi_2は,420°Cで30分間はんだ付けした継手の界面に不連続に形成されることが分かった。SiC表面上のTiの付着の仕事を計算し,界面反応層が形成するかどうかにかかわらず,SiC/Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)界面でのチタンの化学吸着によって接合が達成できると推測した。420°Cではんだ付けした継手のせん断強度は,250°Cより高い。これは,反応生成物の形成がSiCとSn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)の間のより信頼できる結合を得るために重要な役割を果たすことを示すが,それは合理的な強度との結合を実現するための必要条件ではない。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  化学吸着 ,  拡散係数 ,  *合金 ,  低温 ,  偏析 ,  *チタン ,  はんだ付 ,  剪断強さ ,  炭化ケイ素 ,  はんだ ,  *充填剤 ,  不連続性 ,  反応生成物 ,  透過型電子顕微鏡

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： Sn ,  Ag ,  Ti合金 ,  フィラー ,  SiC基板 ,  活性 ,  Ti ,  役割