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J-GLOBAL ID：202202246186251025   整理番号：22A0464643

低温領域で高い熱電性能を持つGe量子ドットとSn析出物SiGeSnハイブリッド膜【JST・京大機械翻訳】

Constructed Ge Quantum Dots and Sn Precipitate SiGeSn Hybrid Film with High Thermoelectric Performance at Low Temperature Region

著者 (17件)： Peng Ying (Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, School of Information and Communication, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, 541004, China) ,  Peng Ying (Department of Materials Science and Engineering, SIT Research Laboratories, Innovative Global Program Faculty of Engineering, Shibaura Institute of Technology, Tokyo, 135-8548, Japan) ,  Miao Lei (Department of Materials Science and Engineering, SIT Research Laboratories, Innovative Global Program Faculty of Engineering, Shibaura Institute of Technology, Tokyo, 135-8548, Japan) ,  Miao Lei (Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, 541004, China) ,  Liu Chengyan (Guangxi Key Laboratory of Information Material, School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, 541004, China) ,  Song Haili (Key Laboratory of Bioinorganic and Synthetic Chemistry of Ministry of Education, School of Chemistry, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, Guangdong, 510275, China) ,  Kurosawa Masashi (Department of Materials Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Nakatsuka Osamu (Department of Materials Physics, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya, 464-8603, Japan) ,  Back Song Yi (Department of Applied Physics, Integrated Education Institute for Frontier Science and Technology, (BK21 Four) and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin, 17104, Korea) ,  Rhyee Jong Soo (Department of Applied Physics, Integrated Education Institute for Frontier Science and Technology, (BK21 Four) and Institute of Natural Sciences, Kyung Hee University, Yongin, 17104, Korea) ,  Murata Masayuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, Ibaraki, 305-8568, Japan) ,  Tanemura Sakae (Japan Fine Ceramic Center, 2-4-1 Mutsuno, Atsuta-ku, Nagoya, 456-8587, Japan) ,  Baba Takahiro (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Baba Tetsuya (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Ishizaki Takahiro (Department of Materials Science and Engineering, SIT Research Laboratories, Innovative Global Program Faculty of Engineering, Shibaura Institute of Technology, Tokyo, 135-8548, Japan) ,  Mori Takao (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Namiki 1-1, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Mori Takao (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8577, Japan)
資料名： Advanced Energy Materials  (Advanced Energy Materials)
巻： 12  号： 2  ページ： e2103191  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2778A  ISSN： 1614-6832  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGeベースの熱電(TE)材料は高温利用のためによく知られているが,低温領域ではほとんど関連していない。ここでは,Ge量子ドット(QD)とSn析出SiGeSnハイブリッド膜を,Si/SiO_2基板上に処理したPイオン注入SiGeSn膜の超高速高温アニーリング(UHA)により構築した。Sn析出物が支配する変調ドーピング効果およびGe QDに起因するエネルギーフィルタリング効果を結合して,最適化したSiGe膜は,低い熱伝導率を維持しながら,91μWcm-1K-2@300K,室温という大きな力率を達成した。膜構築に関するこの戦略は,著しい性能を有するTE材料に対する新しい洞察を提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  最適化 ,  焼なまし ,  *析出物 ,  *低温 ,  熱伝導率 ,  *ゲルマニウム ,  *スズ ,  イオン注入 ,  フィルタリング ,  力率 ,  変調ドーピング ,  *量子ドット
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム ,  *ハイブリッド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： エネルギーフィルタリング ,  巨大力率 ,  変調ドーピング ,  SiGeSnハイブリッド膜

分類 (3件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  Ge ,  量子ドット ,  Sn ,  析出物 ,  ハイブリッド膜