文献

J-GLOBAL ID：202202246317144786   整理番号：22A0396664

ウェアラブルおよびニューロモルフィック応用のための柔軟なTa_2O_5/WO_3ベースメモリスタシナプス【JST・京大機械翻訳】

Flexible Ta₂O₅/WO₃-Based Memristor Synapse for Wearable and Neuromorphic Applications

著者 (6件)： Rajasekaran Sailesh (Department of Materials Science and Engineering, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Simanjuntak Firman Mangasa (Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chandrasekaran Sridhar (Advanced Research Institute, Dr. M. G. R. Educational and Research Institute, Chennai, India) ,  Panda Debashis (Department of Physics, National Institute of Science and Technology, Berhampur, India) ,  Saleem Aftab (Department of Electrical Engineering and Computer Science, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Tseng Tseung-Yuen (Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 1  ページ： 9-12  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターでは,Ta_2O_5/WO_3二重層ウェアラブルメモリスタシナプスは,単層デバイス(83%)と比較して,ちょうど12の時代に対して優れた認識精度(97%)を有する。超薄WO_3層の挿入はTa_2O_5中の酸素空孔分布を変調し,ディジタルからアナログへのスイッチング挙動を誘起する。2mmの極端な曲げ,速い速度(25ns),4mmの曲げによる104サイクルに対する信頼できる曲げ耐久性,200°Cまでの安定した保持(>106s),および耐水性挙動の,優れたAC耐久性(>109サイクル)を達成した。顕著な非線形性(0.64)を有する増強と抑制を得た。Ta_2O_5/WO_3設計は,その摩耗性,柔軟性,軽量,低コストおよび環境に優しい製造により,ウェアラブル神経形態応用の有望な候補である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  アナログ系 ,  耐久性 ,  柔軟性 ,  非線形性 ,  耐水性 ,  ディジタル方式 ,  単一層 ,  *4サイクル ,  摩耗特性
準シソーラス用語： ローコスト ,  二重層 ,  ウェアラブル ,  酸素空格子点 ,  軽量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (2件)： ウェアラブル ,  応用