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J-GLOBAL ID：202202246371910631   整理番号：22A0976181

VGe_2N_4およびNbGe_2N_4単分子層上での水素発生反応の理論的洞察【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Insights into the Hydrogen Evolution Reaction on VGe₂N₄ and NbGe₂N₄ Monolayers

著者 (4件)： Sahoo Mihir Ranjan (Harish-Chandra Research Institute, India) ,  Ray Avijeet (Department of Physics, Indian Institute of Technology Roorkee, India) ,  Singh Nirpendra (Department of Physics, Khalifa University of Science and Technology) ,  Singh Nirpendra (Center for Catalysis and Separation (CeCaS), Khalifa University of Science and Technology)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 7  号： 9  ページ： 7837-7844  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素発生反応(HER)のための二次元単分子層の基底面における触媒活性サイトは,水素の大量生産にとって重要である。二次元VGe_2N_4とNbGe_2N_4単分子層の構造,電子,および触媒特性を第一原理計算を用いて実証した。フォノン計算によって動的安定性を確認し,続いてハイブリッド汎関数HSE06とPBE+Uを用いた電子構造の計算を行った。ここでは,HERに対する触媒特性を調整するため,2つの戦略,歪およびドーピングを導入した。著者らの結果は,VGe_2N_4とNbGe_2N_4単分子層のHER活性が適用した歪に敏感であることを示した。3%の引張歪は,0.015eVのNbGe_2N_4単分子層に対する水素の吸着Gibbs自由エネルギー(ΔG_H*)をもたらし,Pt(-0.09eV)より良好な活性を示した。3%の圧縮歪において,ΔG_H*値はVGe_2N_4単分子層に対して-0.09eVであり,これはPtのそれに匹敵した。NbGe_2N_4単分子層のNサイトでのPドーピングの交換電流密度は,HER(ΔG_H*=0.11eV)の有望な電極触媒である。著者らの知見は,HER活性のための電極触媒としてのVGe_2N_4とNbGe_2N_4単分子層の大きな可能性を意味する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  電子 ,  フォノン ,  大量生産 ,  *水素 ,  白金 ,  *単分子層 ,  活性部位 ,  計算 ,  ドーピング ,  電極触媒 ,  二次元 ,  動的安定性
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  ハイブリッド汎関数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単分子層 ,  水素発生反応 ,  理論 ,  洞察