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J-GLOBAL ID：202202246498090421   整理番号：22A1156303

オプトエレクトロニクスデバイスのための電場により調整した二次元ZrSe_2/ZrS_2ヘテロ二重層【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional ZrSe₂/ZrS₂ heterobilayer tuned by electric field for optoelectronic devices

著者 (11件)： Zhang L. M. (School of Physics and Electronics Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, China) ,  Zhang L. M. (Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou, China) ,  Zhang W. B. (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Yangtze University, Jingzhou, China) ,  Qiao S. (School of Physics and Electronics Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, China) ,  Qiao S. (Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou, China) ,  Yang Y. (School of Physics and Electronics Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, China) ,  Yang Y. (Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou, China) ,  Shang J. M. (School of Physics and Electronics Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, China) ,  Shang J. M. (Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou, China) ,  Feng S. Q. (School of Physics and Electronics Engineering, Zhengzhou University of Light Industry, Zhengzhou, China) ,  Feng S. Q. (Henan Key Laboratory of Magnetoelectronic Information Functional Materials, Zhengzhou, China)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 80  号： 7  ページ： 606-612  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元ヘテロ構造を構築することは,より望ましいデバイス性能を得ることができる。本研究では,密度関数理論によるZrSe_2/ZrS_2 van der Waals(vdW)ヘテロ二重層の電子特性と光吸収を論じた。ZrSe_2/ZrS_2ヘテロ二重層は固有のタイプIIバンド配列を示し,電子と正孔はZrSe_2/ZrS_2ヘテロ二重層の異なる層で分離でき,光起電力デバイスにおけるキャリア寿命を改善できる。電場はヘテロ構造の電子特性を効果的に調節できる。ある電場を適用することにより,バンドアラインメントはタイプIIからタイプIへの遷移を実現でき,これは発光素子に非常に有益である。電場変調の固有物理機構を理解するために,著者らは,外部場によるバンドギャップとバンドオフセットの変化傾向を詳細に解析した。さらに,ZrSe_2/ZrS_2ヘテロ構造は,孤立単層より遥かに強い光吸収を示した。著者らの結果は,ZrSe_2/ZrS_2ヘテロ構造が光電子デバイスでより多くの潜在的用途を提供できることを示唆する。Copyright The Korean Physical Society 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア寿命 ,  正孔 ,  *電場 ,  光吸収 ,  光起電素子 ,  *多層膜 ,  *二次元 ,  外場 ,  密度汎関数法 ,  バンドオフセット ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 二重層 ,  ヘテロ構造 ,  発光素子 ,  *光電子デバイス ,  バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZrSe_2/ZrS_2ヘテロ二重層 ,  光吸収 ,  II型バンドアラインメント ,  電場

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： オプトエレクトロニクスデバイス ,  電場 ,  テロ ,  二重層