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J-GLOBAL ID：202202246536099500   整理番号：22A0974516

Raman分光法を用いた非van der Waals Bi_2O_2Seにおける線欠陥の可視化【JST・京大機械翻訳】

Visualizing Line Defects in non-van der Waals Bi₂O₂Se Using Raman Spectroscopy

著者 (9件)： Kim Un Jeong (Advanced Sensor Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Nam Seung Hyun (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Republic of Korea) ,  Seo Juyeon (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Republic of Korea) ,  Yang Mino (Korea Basic Science Institute Seoul, Republic of Korea) ,  Fu Qundong (School of Materials Science & Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Liu Zheng (School of Materials Science & Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Son Hyungbin (School of Integrative Engineering, Chung-Ang University, Republic of Korea) ,  Lee Moonsang (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Republic of Korea) ,  Hahm Myung Gwan (Department of Materials Science and Engineering, Inha University, Republic of Korea)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 16  号： 3  ページ： 3637-3646  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着を用いて成長させた反対に帯電した交互層から成る高品質のビスマスオキシカルコゲン化物のような原子層材料は,かなりの注目を集めている。それらの物理的性質は,高速,低電力消費光電子デバイスに対して良く適合し,それらの結晶学的特性の迅速決定はスケーラビリティと統合にとって極めて重要である。本研究では,そのような材料の結晶構造と品質を,Raman分光分析によってどのように投影できるかを紹介した。55,78,360,および434cm-1の周波数モードを検出し,文献から理論計算を行った。55および78cm-1に位置する低周波モードは,Bi_2O_2Se結晶中の結晶粒界およびOリッチエッジのような構造欠陥によって活性化され,励起エネルギーに対する感度を伴った。さらに,55cm-1の線欠陥は,グラフェン/グラファイトエッジに似た強い2倍分極依存性を示した。これらの結果は,欠陥によって赤外活性モードからRaman活性モードを活性化するための機構,ならびにこれらの二次元層状材料の電子構造の解明を助けることができる。また,Bi_2O_2Seのナノスケール幅線欠陥をRaman分光法で可視化できることを示唆した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  結晶粒界 ,  *格子欠陥 ,  赤外線 ,  電子構造 ,  分極 ,  *可視化 ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  モード ,  励起エネルギー ,  *Raman分光法 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *線欠陥 ,  ナノスケール ,  理論計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Bi_2O_2Se ,  合成 ,  欠陥 ,  低周波数Ramanモード ,  偏光Raman分光法

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (4件)： Raman分光法 ,  VAN ,  線欠陥 ,  可視化