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J-GLOBAL ID:202202246594025613   整理番号:22A0396674

ハードマスク定義およびドライエッチパターン形成有機TFTデバイスにおけるゲート誘電漏れ低減【JST・京大機械翻訳】

Gate Dielectric Leakage Reduction in Hard-Mask Defined and Dry-Etch Patterned Organic TFTs Devices
著者 (9件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 48-51  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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デバイス間の寄生伝導を制御するために,有機半導体(OSC)パターニングのためのハードマスクとしてゲート金属を利用する有機薄膜トランジスタ(OTFT)のフォトリソグラフィーとドライエッチングを用いた。本研究は,ハードマスクパターニングプロセスがゲート漏れ電流をもたらし,これは側壁欠陥に起因することを示した。異なる漏れ電流の特徴的メカニズムを研究し,負のバイアス温度応力(NBTS)試験および構造非対称性を有するデバイスの測定を含むこの挙動を理解した。さらに,最適化構造設計を提案し,漏れを抑制し,OTFTの信頼性を高めた。このような改善は,ディスプレイや論理回路などの小チャネル幅を必要とするOTFTの実用化に必要である。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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