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J-GLOBAL ID：202202247311039310   整理番号：22A1171584

低電圧応用のための単一ビット線構成を持つ信頼性ある温度変動耐性7T SRAMセル【JST・京大機械翻訳】

A Reliable and Temperature Variation Tolerant 7T SRAM Cell with Single Bitline Configuration for Low Voltage Application

著者 (2件)： Rawat Bhawna (Department of Electronics and Communication Engineering, Delhi Technological University, Delhi, India) ,  Mittal Poornima (Department of Electronics and Communication Engineering, Delhi Technological University, Delhi, India)
資料名： Circuits, Systems, and Signal Processing  (Circuits, Systems, and Signal Processing)
巻： 41  号： 5  ページ： 2779-2801  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0430B  ISSN： 0278-081X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静的ランダムアクセスメモリは,ほとんどのマイクロプロセッサベースのディジタルデバイスのためのキーコンポーネントである。減少技術ノードと供給電圧の低減により,その性能を改善することが重要である。本論文は,7つのトランジスタ,シングルエンド,ビットセル構成を提案した。電池の性能を300mVの供給電圧で評価した。提案したビットセルに対する保持/読取雑音マージンは,それぞれ98mVでかなり高く,一方,書き込みマージンは154mVであった。セルの信頼性は,モンテカルロプロセス変動と温度変動解析を用いて測定した。提案したセルに対して得られた結果を,提案した7Tセルにより達成された改善を示すために,様々な既存の5T,6T,7Tおよび8Tセルに対して比較した。提案したセルのための電力消費は,他の間で最小であり,それぞれ,成功した書き込みと読取操作を実行するために,13と5nsのパルス幅を必要とする。上記の増強は,0.65μm2のレイアウト面積に対して達成された。5T,6T1,6T2,7T1,7T2,7T3,8T1,8T2および10Tセルに対するレイアウトフットプリントは,それぞれ0.66,0.82,0.048,0.74,0.82,0.8,0.84,1.34および1.27μm2であった。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  雑音 ,  *電圧 ,  電池 ,  トランジスタ ,  *信頼性 ,  *配線 ,  電力消費 ,  マイクロプロセッサ ,  *温度変動 ,  パルス幅 ,  *SRAM
準シソーラス用語： プロセス変動 ,  供給電圧 ,  *低電圧 ,  *ビット線 ,  書込マージン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： シングルエンド ,  低電圧 ,  7T SRAM ,  単一ポート ,  半選択 ,  変動耐性

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低電圧 ,  応用 ,  ビット線 ,  温度変動 ,  耐性 ,  SRAM ,  セル