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J-GLOBAL ID：202202247823053022   整理番号：22A1100874

次世代デバイスDC特性のモデルパラメータ最適化と予測のための解【JST・京大機械翻訳】

Solution for Model Parameter Optimization and Prediction of Next-Generation Device DC Characteristics

著者 (3件)： Gil Gwangnae (Magnificent Memory Laboratory (M-square Lab.) in Memory business, Samsung electronics, Hwaseong, South Korea) ,  Park Seyoung (Magnificent Memory Laboratory (M-square Lab.) in Memory business, Samsung electronics, Hwaseong, South Korea) ,  Woo Sola (Magnificent Memory Laboratory (M-square Lab.) in Memory business, Samsung electronics, Hwaseong, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 4  ページ： 1781-1785  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プロセス設計キットのための次世代デバイス特性とモデル最適化ソリューションを予測する新しい方法を示した。次世代予測方法論を,コンパクトなモデルの開発に向けたデバイス特性の作成から実証した。提案方法は,開発ターンアラウンド時間における高精度と低減を達成した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 予測技法 ,  *最適化 ,  特性 ,  プロセス設計 ,  ターンアラウンド時間 ,  *モデル
準シソーラス用語： *パラメータ最適化 ,  高精度 ,  デバイス特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 次世代 ,  モデル ,  パラメータ最適化 ,  予測 ,  解