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J-GLOBAL ID：202202248670067691   整理番号：22A0976628

Hf_1-xZr_xO_2に基づく強誘電体トンネル接合の設計および実装における自由度のためのトップ電極工学【JST・京大機械翻訳】

Top Electrode Engineering for Freedom in Design and Implementation of Ferroelectric Tunnel Junctions Based on Hf_1-xZr_xO₂

著者 (6件)： Athle Robin (Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden) ,  Athle Robin (NanoLund: Centre for Nanoscience, Lund University, Sweden) ,  Persson Anton E.O (Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden) ,  Troian Andrea (Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden) ,  Borg Mattias (Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden) ,  Borg Mattias (NanoLund: Centre for Nanoscience, Lund University, Sweden)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 3  ページ： 1002-1009  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄HfO_2に基づく強誘電性トンネル接合(FTJ)は,相補的金属酸化物半導体と互換性のある高速かつエネルギー効率の良いメモリ技術として大きな可能性を持っている。FTJsは2つの異なる電極間に挟まれた強誘電体膜から成り,その特性はFTJの電気的性質に複雑にリンクしている。ここではW結晶化電極(CE)を利用して,Wが注意深く除去され,他のトップ電極(TE)に置換される金属置換プロセスと組み合わせた,高い再現性のある残留分極を達成した。この方法で,デバイス設計から強誘電膜特性を分離し,それによって,トンネル電気抵抗(TER)とデバイス信頼性に対するTE仕事関数(WF)と伝導バンド電子密度(n_e)の効果を評価することができた。窒化チタンボトム電極とW,Cr,またはNi TEで設計したFTJを比較し,TEとしてのNiまたはCrのような高電子密度金属の使用が,大きなビルトイン電場による信頼性のコストにもかかわらず,改善されたTERを可能にすることを見出した。この効果を迂回するために,二層Cr/Ni TEを実装し,高いTERと最小ビルトインフィールドを可能にし,108サイクルを超える優れた保持と耐久性をもたらした。ここで示した結果は,FTJの信頼できる設計と実装のためのプロセスフローを強調する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  結晶化 ,  仕事関数 ,  電気抵抗 ,  電子密度 ,  互換性 ,  信頼性 ,  *電極 ,  クロム ,  ニッケル ,  窒化物 ,  強誘電性 ,  伝導バンド ,  *トンネル接合 ,  チタン化合物 ,  残留分極
準シソーラス用語： 窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化ハフニウム ,  トンネル電気抵抗 ,  強誘電体トンネル接合 ,  薄膜 ,  仕事関数

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 強誘電体 ,  トンネル接合 ,  設計 ,  実装 ,  自由度 ,  トップ ,  工学