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J-GLOBAL ID：202202249936246331   整理番号：22A0445048

弱極性磁気活性ドープ半導体の定常状態および過渡Raman利得係数【JST・京大機械翻訳】

Steady-state and transient Raman gain coefficients of weakly-polar magnetoactive doped semiconductors

著者 (3件)： Singh Jaivir (Department of Physics, Baba Mastnath University, Asthal Bohar, Rohtak 124021, Haryana, India) ,  Dahiya Sunita (Department of Physics, Baba Mastnath University, Asthal Bohar, Rohtak 124021, Haryana, India) ,  Singh Manjeet (Department of Physics, Government College, Matanhail, Jhajjar 124106, Haryana, India)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 49  号： P5  ページ： 1189-1195  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導Raman散乱(SRS)の起源が非線形誘起分極に起因する三次有効(Raman)感受性にあると仮定して,種々の幾何学的配置の下で弱極性磁気活性ドープ半導体の定常状態および過渡Raman利得係数に対する表式を得た。過渡SRSの開始に対する閾値ポンプ強度と最適パルス持続時間を推定した。ドーピング濃度,外部静磁場,静磁場傾斜,散乱角およびポンプパルス持続時間に対するRaman利得係数の依存性を,低閾値強度でのRaman利得係数を増強し,Raman非線形性に基づく効率的な半導体非線形デバイスの実現可能性を探索するために,これらの制御可能なパラメータの適切な値を決定する目的で詳細に調査した。最も期待して,散乱パルスの圧縮のためのホストとしての弱極性磁気活性ドープ半導体の技術的可能性と,Raman非線形性に基づく周波数変換器,Raman増幅器および発振器などの効率的な非線形素子の製作を確立した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 散乱 ,  発振器 ,  *半導体 ,  分極 ,  誘導Raman散乱 ,  感受性 ,  *磁気 ,  *ドーピング ,  非線形性 ,  パルス ,  パルス幅 ,  周波数変換器 ,  静磁場
準シソーラス用語： Raman増幅器 ,  定常状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 誘導Raman散乱 ,  Raman利得係数 ,  閾値強度 ,  半導体結晶

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 極性 ,  磁気 ,  活性 ,  ドープ ,  定常状態 ,  Raman利得 ,  係数