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J-GLOBAL ID：202202250155124224   整理番号：22A0976666

フレキシブルオプトエレクトロニクス応用のためのCsPbBr_3膜のVan der Waalsエピタキシャル堆積【JST・京大機械翻訳】

Van der Waals Epitaxial Deposition of CsPbBr₃ Films for Flexible Optoelectronic Applications

著者 (10件)： Xing Ruofei (School of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Shi Peng (School of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Wu Zhenfa (School of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Wang Dong (School of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Wei Lin (School of Microelectronics, Shandong University, China) ,  Yan Shishen (School of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Chen Yanxue (School of Physics and State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, China) ,  Ren Huixue (School of Municipal and Environmental Engineering, Shandong Jianzhu University, China) ,  Yu Chunfeng (Shandong Sanqi Energy Co., Ltd, China) ,  Li Fangjun (Shandong Sanqi Energy Co., Ltd, China)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 4  号： 3  ページ： 1351-1358  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質無機ハロゲン化物ペロブスカイト膜の成長は,太陽電池,光検出器,および通信における重要な用途のために近年ますます注目を集めている。本研究では,CsPbBr_3のセンチメートルサイズの無機ペロブスカイト膜を,パルスレーザ蒸着を用いて原子的に平坦なフレキシブル白雲母基板上に調製した。純粋な立方晶相CsPbBr_3膜のVan der Waalsエピタキシャル成長を堆積条件を最適化することにより達成した。オプトエレクトロニクス応用におけるその可能性を探るために,CsPbBr_3ペロブスカイト膜を平面光検出器に組み立てた。膜の高結晶性から,光検出器は超低暗電流と光に対する高感度を示した。10Vのバイアス電圧と405nmの照射の下で,このデバイスは,1.1×105の高い光電流/オフ比,2.41×1014Jonesの比検出性,および超高速応答時間(それぞれ,上昇と減衰時間)が,それぞれ,42.16μsと44.88μsであった。さらに,カプセル化のないCsPbBr_3系光検出器は,良好な長期安定性(30日,6%減衰)と曲げ安定性を示した。これらの全ての結果は,柔軟な白雲母上にエピタキシャル成長したCsPbBr_3膜が,フレキシブルオプトエレクトロニクス応用の有望な候補であることを示した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  光電流 ,  最適化 ,  太陽電池 ,  光検出器 ,  ハロゲン化物 ,  白雲母 ,  暗電流 ,  *オプトエレクトロニクス ,  立方晶系 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 金属ハロゲン化物ペロブスカイト ,  光検出器 ,  フレキシブルデバイス ,  エピタキシャル膜 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (5件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  塩  (CD01050V) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  VAN ,  エピタキシャル ,  堆積