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J-GLOBAL ID：202202250448299081   整理番号：22A0734738

複合リセスゲートを持つノーマリーオフAlGaN/AlN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】

Normally-off AlGaN/AlN/GaN HEMT with a composite recessed gate

著者 (10件)： Li Jialin (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China) ,  Yin Yian (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China) ,  Zeng Ni (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China) ,  Liao Fengbo (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China) ,  Lian Mengxiao (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China) ,  Zhang Xichen (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China) ,  Zhang Xichen (SCNU Qingyuan Institute of Science and Technology Innovation Co., Ltd., Qingyuan, 511517, China) ,  Zhang Keming (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China) ,  Zhang Keming (SCNU Qingyuan Institute of Science and Technology Innovation Co., Ltd., Qingyuan, 511517, China) ,  Li Jingbo (Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 161  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らが知る限り,通常オフHEMTは電力電子システムの安全性にとって非常に重要である。デバイスの閾値電圧を増加させるために,本論文では,Al_2O_3で覆われた凹んだp-GaN HEMTを形成するために,凹んだP-GaN上にAl_2O_3を被覆することを提案した。シミュレーション計算を通して,P-GaN上のAl_2O_3の被覆が閾値電圧を効果的に増加させることができるが,飽和電流と相互コンダクタンスはひどく減少する。したがって,本論文は構造を最適化し,初めて複合リセスゲートHEMTを提案した。高い閾値電圧を維持しながら,高い飽和電流と高い相互コンダクタンスを得ることができる。Al_2O_3で覆われた凹んだp-GaN HEMTと比較して,複合リセスゲートHEMTの相互コンダクタンスと飽和電流は,それぞれ13.14%と121.33%増加し,一方,閾値電圧は4.44%(4.3V)だけ減少した。さらに,ゲート誘電体はデバイス性能に大きな影響を与える。したがって,本論文は,理論計算を通してデバイスに及ぼすAl_2O_3層の厚さの影響を分析し,厚さの最適値を得る。(T1=18.3nm,Vth=4.5V,Isat=456mA/mm)。その結果,複合リセスゲートは,次世代の通常オフパワーデバイス応用において広い応用展望を有することが分かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  電流 ,  電力 ,  *窒化ガリウム ,  相互コンダクタンス ,  *ゲート【半導体】 ,  *HEMT ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  飽和電流 ,  最適値 ,  *GaN HEMT ,  *ノーマリーオフ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ノーマリーオフHEMT ,  高い閾値電圧 ,  複合リセスゲート ,  高飽和電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  ノーマリーオフ ,  AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  HEMT