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J-GLOBAL ID:202202250841107908   整理番号:22A0327425

窒化銅薄膜のための高出力インパルスマグネトロンスパッタリング成長過程とその高増強UV-可視光検出特性【JST・京大機械翻訳】

High power impulse magnetron sputtering growth processes for copper nitride thin film and its highly enhanced UV - visible photodetection properties
著者 (9件):
資料名:
巻: 896  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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銅Nitride(Cu_3N)薄膜は有望なオプトエレクトロニック特性を示し,光検出,リチウムイオン電池等の分野でのさらなる応用に適している。本研究では,反応性高Powerインパルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)により堆積したCu_3N薄膜を初めて光検出応用に用いた。Cu_3Nナノ結晶の微細構造は,高いターゲット種イオン化速度のため,均一な結晶形態とより少ない欠陥を示した。相構造解析の結果は,Cu_3N薄膜内の窒素の存在が,抗ReO_3構造のCu_3N微結晶から成ることを確認した。注目すべきことに,光学的性質は,紫外線(UV)と可視(Viz)範囲の顕著な吸収と増強を明らかにし,作製したITO/Cu_3N/ITO素子の光検出特性に強く影響する。3792%の優れた光感度が一定の光強度で得られた。さらに,光感受性は光強度の増加とともに7443%に増加した。ITO/Cu_3N/ITOの強化された表面特性と完全な形成が有益なpn接合をもたらし,その結果,高性能と超高速電子-正孔再結合を示した。また,HiPIMS法は,光検出の増強を助ける高密度で滑らかな表面を有する高品質膜を提供する。これらの傑出した結果は,Cu_3N膜を,スマート薄膜ガジットに応用できる将来のオプトエレクトロニクスデバイス製造の有力な候補となり得る。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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