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J-GLOBAL ID：202202251070654900   整理番号：22A0465247

M面サファイア基板上に成長させたVO_2/TiO_2エピタキシャル二層膜の室温絶縁体-金属転移【JST・京大機械翻訳】

Room Temperature Insulator-to-Metal Transition of VO₂/TiO₂ Epitaxial Bilayer Films Grown on M-plane Sapphire Substrates

著者 (4件)： Chen Binjie (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N14W9, Kita, Sapporo, 060-0814, Japan) ,  Kim Gowoon (Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N14W9, Kita, Sapporo, 060-0814, Japan) ,  Cho Hai Jun (Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, 001-0020, Japan) ,  Ohta Hiromichi (Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, 001-0020, Japan)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 8  号： 1  ページ： e2100687  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VO_2の光電子特性は絶縁体から金属への遷移の臨界温度(T_c)付近で変調されるので,VO_2はスマートウィンドウのための有望な候補である。しかし,バルクVO_2のT_cは,かなり高い341K(68°C)であり,従って,実際の応用に対して,ほぼ温度まで低下する必要がある。ルチルTiO_2結晶を基板として用いると,T_cは室温に還元できるが,利用可能なTiO_2結晶のサイズ限界のため,大規模応用に対して技術的に実行可能ではない。ここでは,T_cが基板としてM面サファイアを用いて室温近くまで還元できることを示した。VO_2/TiO_2二層膜をM面サファイア[(10[数式:原文を参照]0)α-Al_2O_3]基板上に厚さを変えて作製した。厚さ200nmのTiO_2緩衝サファイア基板上の5.5nm厚さのVO_2膜は,≒305K(32°C)で明確な絶縁体から金属への転移を示した。また,絶縁体-金属転移は面内格子歪に敏感であり,キャリア発生を誘起することが分かった。VO_2の絶縁体対金属転移に及ぼす面内格子歪の影響に関する系統的研究は,スマート窓の活物質としてVO_2の実用化に役立つであろう。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  格子歪 ,  臨界温度 ,  ルチル ,  *金属-絶縁体転移 ,  *サファイア ,  キャリア生成 ,  光電子 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 活物質 ,  二重層 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 絶縁体-金属転移 ,  格子歪 ,  サファイア ,  TiO_2 ,  VO_2

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア基板 ,  成長 ,  エピタキシャル ,  二層膜 ,  室温 ,  絶縁体-金属転移