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J-GLOBAL ID：202202251547068150   整理番号：22A0389011

酸素欠損層の制御によるHf_0.5Zr_0.5O_2超薄膜の高分極とウェイクアップ自由強誘電特性【JST・京大機械翻訳】

High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf_0.5Zr_0.5O₂ devices by control of oxygen-deficient layer

著者 (8件)： Yadav Manoj (Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea) ,  Kashir Alireza (Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea) ,  Kashir Alireza (Institute of Physics ASCR, Na Slovance 2, 182 21 Prague 8, Czech Republic) ,  Oh Seungyeol (Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea) ,  Nikam Revannath Dnyandeo (Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea) ,  Kim Hyungwoo (Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea) ,  Jang Hojung (Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea) ,  Hwang Hyunsang (Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 8  ページ： 085206 (10pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面層の形成はHfO_2系強誘電体素子の強誘電特性に影響すると考えられる。原子層堆積素子は,底面界面の形成が原子層堆積とアニーリング過程によってひどく影響を受けるので,貧弱な底面界面条件に苦しんでいる。ここでは,底部界面層の形成を,デバイス構造W/HZO/BEにおける異なる底部電極(BE)の堆積を通して制御した。デバイスW/HZO/WとW/HZO/IrO_xで行った透過電子顕微鏡(TEM)とX線光電子分光分析は,W/HZO/Wが界面層形成に悪いのに対して,底部界面層形成を制御するIrO_xの強い効果を示唆する。W/HZO/IrO_x素子は,高い残留分極(2P_r)~53μCcm-2,ウェークアップフリー耐久サイクル特性,低い漏れ電流を350°Cという低い焼なまし温度要求の実証で示し,バックエンドオブライン統合に貴重であった。”W/HZO/IrO_x素子は,高い残留分極(2P_r)~53μCcm-2,低い漏れ電流を示した。さらに,サブ5nmのHZO厚さベースのW/HZO/IrO_xデバイスは,高い2P_rと後流の自由強誘電特性を実証し,これは低電力と高密度メモリ応用に有望である。2.2nm,3nm,および4nmのHZOベースのW/HZO/IrO_x素子は,4MVcm-1で2P_r値13.54,22.4,38.23μCcm-2,および5MVcm-1で19.96,30.17,48.34μCcm-2を示し,伴流フリー強誘電特性の実証で,それぞれ,19.96,30.17,48.34μCcm-2であった。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伴流 ,  界面 ,  記憶装置 ,  焼なまし ,  *強誘電性 ,  素子構造 ,  漏れ電流 ,  X線光電子分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *超薄膜 ,  残留分極
準シソーラス用語： 界面層 ,  高密度 ,  *酸素欠陥 ,  焼きなまし温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸素欠損 ,  超薄膜 ,  高分極 ,  強誘電特性