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J-GLOBAL ID：202202252443240417   整理番号：22A0478214

ホウ素ドープ{113}配向ホモエピタキシャルダイヤモンド層上の低抵抗Ohm接触【JST・京大機械翻訳】

Low-resistance ohmic contacts on boron-doped {113} oriented homoepitaxial diamond layers

著者 (10件)： Hazdra P. (Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering, Technicka 1902/2, 166 27 Prague 6, Czech Republic) ,  Laposa A. (Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering, Technicka 1902/2, 166 27 Prague 6, Czech Republic) ,  Soban Z. (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic) ,  Voves J. (Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering, Technicka 1902/2, 166 27 Prague 6, Czech Republic) ,  Lambert N. (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic) ,  Davydova M. (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic) ,  Povolny V. (Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering, Technicka 1902/2, 166 27 Prague 6, Czech Republic) ,  Taylor A. (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic) ,  Mortet V. (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic) ,  Mortet V. (Czech Technical University in Prague, Faculty of Biomedical Engineering, Sitna 3105, 272 01 Kladno, Czech Republic)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 121  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金被覆層を有する残留金属(チタン,モリブデン,およびジルコニウム)を用いて,{113}配向ホウ素ドープダイヤモンドエピタキシャル層(ホウ素濃度1019~1021cm-3)上にオーム接触を形成した。堆積層の形態と厚さをAFMとX-SEMによって測定した。抵抗率,キャリア濃度および移動度をHall測定により決定した。蒸着Ti/Au,Zr/AuおよびMo/Au接触の比接触抵抗R_Cspを,850°Cまでの温度で異なる焼鈍段階後にc-TLM構造を用いて測定した。その結果,{113}配向の層では,{100}配向の層と同等の品質のオーム接触を達成できることが分かった。3つの金属系全てに対して,比接触抵抗の最低値は1×10-6Ω.cm2に達した。Ti/Au接触は焼なまし温度の全範囲にわたって安定なオーム挙動を示すが,Mo/Ti接触は500°C以上でアニールし,Schottky障壁を低減し,低Bドープ層上で良好なオーム接触を達成した。Zr/Au接触は,理想的な電気的および機械的特性を達成するために,少なくとも700°Cまで最も低い密着性および必要なアニーリングを示した。高度にホウ素ドープ層(λ>1021cm-3)上のMo/AuとZr/Au接触は700°Cでアニールすると優れた接触を示し,従って,従来のTi/Au(Ti/Pt/Au)接触システムよりもダイヤモンド系高温パワーエレクトロニクスのオーム接触のための改良候補と考えられる。要約すると,本研究では,優れたオーム接触を有するダイヤモンドパワー電子デバイスの作製のための{113}配向ホウ素ドープダイヤモンドエピタキシャル層の適合性を確認した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  高温 ,  焼なまし ,  接触抵抗 ,  電気抵抗率 ,  *ダイヤモンド ,  金 ,  ジルコニウム ,  チタン ,  モリブデン ,  *ドーピング ,  キャリア密度 ,  *Ohm接触 ,  パワーエレクトロニクス

著者キーワード (5件)： ダイヤモンド ,  接触 ,  ホウ素ドーピング ,  化学蒸着 ,  接触抵抗

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： ホウ素 ,  ドープ ,  配向 ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド層 ,  低抵抗 ,  Ohm接触