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J-GLOBAL ID:202202253780760084   整理番号:22A0613854

Cu3AsO4の電気的および光学的特性の第一原理計算:非鉄金属製造副産物からの有望な薄膜太陽電池吸収体

First Principles Calculation of Electrical and Optical Properties of Cu3AsO4: Promising Thin-Film Solar Cell Absorber from Nonferrous Metal Manufacturing By-Products
著者 (8件):
資料名:
巻: 63  号:ページ: 73-81(J-STAGE)  発行年: 2022年 
JST資料番号: G0668A  ISSN: 1345-9678  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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硫ひ銅鉱型Cu3AsO4の安定性と電子構造を第一原理計算により調べた。その合成は,これまで報告されていないが,計算は,硫ひ銅鉱型Cu3AsO4の合成の可能性を示した。硫ひ銅鉱型Cu3AsO4は,1~1.2eVのバンドギャップと,CdTeおよびGaAsのような薄膜太陽電池用の吸収体材料に匹敵する大きな光吸収係数を有することが期待される。また,硫ひ銅鉱型Cu3AsO4は,適切な不純物ドーピングによりp型とn型の両方の伝導を示すことが期待される。この特性は,p-nホモ接合でのこの材料の使用を可能にする。対照的に,硫ひ銅鉱型Cu3AsO4は,p型伝導を示すが,n型伝導は期待されない。本研究の結果は,硫ひ銅鉱型Cu3AsO4が薄膜太陽電池用の吸収体材料として非常に有望であることを示している。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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太陽電池  ,  塩基,金属酸化物  ,  セラミック・磁器の性質 
引用文献 (68件):
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