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J-GLOBAL ID：202202253886148859   整理番号：22A0954419

原子論的シミュレーションおよび理論的解析による単結晶シリコンのナノインデンテーションにおける亀裂進展の機構【JST・京大機械翻訳】

Mechanism of crack evolution in nano-indentation of single crystal silicon by atomistic simulations and theoretical analysis

著者 (5件)： Zhou Yuqi (College of Mechanical Engineering, Guizhou University, Guiyang, China) ,  Dai Houfu (College of Mechanical Engineering, Guizhou University, Guiyang, China) ,  Dai Houfu (Key Laboratory of Advanced Manufacturing Technology, Ministry of Education, Guizhou University, Guiyang, China) ,  Dai Houfu (State Key Laboratory of Advanced Design and Manufacturing for Vehicle Body, Hunan University, Changsha, China) ,  Li Ping (State Key Laboratory of Advanced Design and Manufacturing for Vehicle Body, Hunan University, Changsha, China)
資料名： Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers. Part C. Journal of Mechanical Engineering Science  (Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers. Part C. Journal of Mechanical Engineering Science)
巻： 236  号： 2  ページ： 997-1008  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0720A  ISSN： 0954-4062  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ押込プロセスの分子動力学(MD)モデルを確立し,ナノインデンテーション中の単結晶における亀裂進展を研究した。亀裂のない2つの工作物と亀裂のない1つの工作物を,本研究において押込シミュレーションのために選択した。押込プロセスにおける原子変位,配位数(CN),温度,ポテンシャルエネルギー,および負荷力のパラメータを詳細に解析した。亀裂はナノインデンテーション中に近いことが分かった。亀裂閉口の2つのモードを観察した:協同変位と押込破壊。亀裂の存在は,変態ゾーンのサイズおよびインデンテーション後の原子の配位数に影響を及ぼす。さらに,亀裂の存在は,温度とポテンシャルエネルギーの増加を減少させ,そして,亀裂の閉鎖モードは,押込荷重の値に影響を及ぼすことがわかった。さらに,亀裂先端における押込深さによる応力の変化を理論モデルによって計算した。計算した応力曲線は押込中の亀裂の進展傾向を明らかにした。これらの結果は,より高い表面品質を有するシリコンウエハの製造のための指針を提供する。Copyright IMechE 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応力 ,  温度 ,  *亀裂 ,  *シミュレーション ,  *単結晶 ,  ポテンシャルエネルギー ,  *亀裂伝搬 ,  モデル ,  パラメータ ,  分子動力学 ,  配位数 ,  亀裂閉口 ,  亀裂先端
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 原子シミュレーション ,  理論解析 ,  ナノ押込 ,  亀裂進展 ,  地下損傷

分類 (2件)： 破壊力学一般  (HC04010A) ,  金属材料  (HC04020L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子論的シミュレーション ,  理論 ,  解析 ,  単結晶シリコン ,  ナノインデンテーション ,  亀裂進展