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J-GLOBAL ID：202202254230426976   整理番号：22A0958744

ガンマ線と核融合誘起中性子による背面照射P型フォトMOSピクセルの放射線特性評価【JST・京大機械翻訳】

Radiation Characterization of a Backside-Illuminated P-Type Photo-MOS Pixel With Gamma Rays and Fusion-Induced Neutrons

著者 (9件)： Malherbe Victor (STMicroelectronics, Crolles Cedex, France) ,  Roy Francois (STMicroelectronics, Crolles Cedex, France) ,  Nier Olivier (STMicroelectronics, Crolles Cedex, France) ,  Dalleau Thomas (STMicroelectronics, Crolles Cedex, France) ,  De Paoli Serge (STMicroelectronics, Crolles Cedex, France) ,  Roche Philippe (STMicroelectronics, Crolles Cedex, France) ,  Autran Jean-Luc (IM2NP, UMR7334, CNRS, Aix-Marseille University, Marseille, France) ,  Dentan Martin (ITER Organization, Saint-Paul-lez-Durance, France) ,  Lu Guo-Neng (Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL), Universite ́ Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, France)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 3  ページ： 534-541  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいp型光ゲート画素の放射応答について報告した。センサは,定常状態トカマク(WEST)のW-Tungsten Environmentでの重水素プラズマ動作中のγ線と核融合中性子に曝され,全線量で暗電流増加を示す。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トカマク ,  *γ線 ,  *中性子 ,  *放射線 ,  *核融合 ,  暗電流 ,  *画素 ,  放射線量 ,  センサ ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 光ゲート ,  定常状態 ,  核融合中性子 ,  重水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (10件)： ガンマ線 ,  核融合 ,  誘起 ,  中性子 ,  背面 ,  フォト ,  MOS ,  ピクセル ,  放射線 ,  特性評価