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J-GLOBAL ID：202202254439029984   整理番号：22A0492406

神経形態計算のための良好な保持を持つ電解質ゲートトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Electrolyte-gated transistors with good retention for neuromorphic computing

著者 (8件)： Li Yue (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Xu Han (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Lu Jikai (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wu Zuheng (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wu Shuyu (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Zhang Xumeng (Frontier Institute of Chip and System, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Liu Qi (Frontier Institute of Chip and System, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Shang Dashan (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 2  ページ： 021901-021901-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電解質ゲートトランジスタ(EGTs)は,神経形態学的コンピューティングのための顕著なアナログスイッチング性能を提供する。しかし,自己放電特性に悩まして,保持性能は,それらの実用化を大いに妨げる。このレターでは,ゲート電極と電解質の間にSiO_2層を挿入することにより,EGT保持の顕著な改善を実現した。改善の背後にある動的プロセスを,吸引性漏れ支援電気化学機構によって解釈した。改善された保持に加えて,同じ電圧パルスを用いて,大きなダイナミックレンジ,優れた線形性および対称性,および低い変動を有するアナログスイッチングを達成した。実験データに基づいて,98%のほぼ理想的な認識精度を手書き数字データセットを用いたシミュレーションにより実証した。得られた結果は,将来の神経形態計算におけるEGT採用の道を開く。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  対称性 ,  保持容量 ,  アナログ系 ,  *電解質 ,  反応機構 ,  線形性 ,  ダイナミックレンジ ,  接続品質
準シソーラス用語： パルス電圧 ,  二層 ,  ゲート電極 ,  神経形態学 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 神経 ,  形態 ,  計算 ,  電解質ゲートトランジスタ