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J-GLOBAL ID：202202254552033148   整理番号：22A0953260

マルチゲートグラフェンナノ構造の増強されたテラヘルツ検出【JST・京大機械翻訳】

Enhanced terahertz detection of multigate graphene nanostructures

著者 (13件)： Delgado-Notario Juan A. (CENTERA Laboratories, Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, 29/37 Sokolowska Str, Warsaw, Poland) ,  Knap Wojciech (CENTERA Laboratories, Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, 29/37 Sokolowska Str, Warsaw, Poland) ,  Clerico Vito (Nanotechnology Group, USAL-Nanolab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008, Salamanca, Spain) ,  Salvador-Sanchez Juan (Nanotechnology Group, USAL-Nanolab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008, Salamanca, Spain) ,  Calvo-Gallego Jaime (Nanotechnology Group, USAL-Nanolab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008, Salamanca, Spain) ,  Taniguchi Takashi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Otsuji Taiichi (Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Popov Vyacheslav V. (Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch), Russian Academy of Sciences, Saratov 410019, Russia) ,  Fateev Denis V. (Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch), Russian Academy of Sciences, Saratov 410019, Russia) ,  Diez Enrique (Nanotechnology Group, USAL-Nanolab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008, Salamanca, Spain) ,  Velazquez-Perez Jesus E. (Nanotechnology Group, USAL-Nanolab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008, Salamanca, Spain) ,  Meziani Yahya M. (Nanotechnology Group, USAL-Nanolab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008, Salamanca, Spain)
資料名： Nanophotonics (Web)  (Nanophotonics (Web))
巻： 11  号： 3  ページ： 519-529  発行年： 2022年 
JST資料番号： U8087A  ISSN： 2192-8614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Terahertz(THz)波は,様々な分野での使用と広範囲の挑戦的な応用に対して大きな可能性を明らかにした。しかし,高性能検出器はTHz技術の開発に不可欠である。グラフェンプラズモンTHz検出器は有望なオプトエレクトロニックデバイスであることが証明されているが,その性能の改善はまだ必要である。本研究では,グラファイトバックゲートを有する非対称二重格子ゲートグラフェン-テラヘルツ場効果トランジスタを作製し,4.5Kから室温までの温度範囲で0.3THz放射の照射下で特性化した。デバイスを,二重非対称格子トップゲートと連続グラファイトバックゲートを有するトランジスタを作るために,h-BN/グラフェン/h-BN/菱鉄鉱のヘテロ構造を用いてサブTHz検出器として製作した。金属トップゲートとグラファイトバックゲートをバイアスすることにより,異なるポテンシャル障壁を有する急激なn+n(またはp+p)またはnp(またはpn)接合が,グラフェン層に沿って形成され,THz整流信号の増強を約1桁まで導く。np接合を含むグラフェンに対するプラズモン整流はプラズモン電子-正孔ラチェット機構により解釈され,一方,n+n接合を有するグラフェンに対しては,整流は微分プラズモン抗力効果に起因した。本研究は,応答性増強の新しい方法を示し,グラフェンTHzナノ光検出器の新しい記録性能に向けた道を開く。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  光検出器 ,  プラズモン ,  応答特性 ,  FET【トランジスタ】 ,  グラファイト ,  非対称性 ,  素子構造 ,  ポテンシャル障壁 ,  整流 ,  室温 ,  *テラヘルツ波 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： バックゲート ,  ヘテロ構造 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 2D材料 ,  電界効果トランジスタ ,  グラフェン ,  ナノ光検出器 ,  プラズモニクス ,  テラヘルツ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 増強 ,  テラヘルツ