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J-GLOBAL ID：202202254699841864   整理番号：22A1156880

AP-MOVPEによるGaN層成長のための(001)および(11n)_n=1,3GaAs基板配向:GaNバッファ層の厚さの影響【JST・京大機械翻訳】

(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness

著者 (2件)： Laifi J. (Physics Department, College of Science, Jouf University, Sakaka, Saudi Arabia) ,  Bchetnia A. (Department of Physics, College of Science, Qassim University, Buraydah, Qassim, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 10  ページ： 7587-7597  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001),(113)および(111)GaAs基板配向に及ぼすMOVPEにより成長させたGaN膜の特性に及ぼすGaNバッファ層厚さの影響を調べた。本研究では,d_BL=65nmとd_BL=130nmの厚さのGaNバッファ層を用いた。レーザ反射率測定法によるin situキャラクタリゼーションは,成長時間の関数としてのGaN試料表面の劣化が65nmのd_BLの成長に対してより大きいことを示した。d_BL=130nmの予備堆積はGaAs基板の熱安定性を改善する。立方晶,ピラミッド状,柱状,および球状形状のパターン化構造を,700~850°Cの成長温度範囲で2つの異なるd_BLを有する(hkl)GaAs基板配向の成長によって作成した。GaN結晶の平均サイズはd_BLを65から130nmに増加させると増加した。CLの結果は,65nmのd_BLで成長させた試料のYL/NBE強度比が130nmのd_BLによる成長より約1.5倍と2倍大きいことを示した。これは,65nmのd_BLで成長させたGaN層中の高密度欠陥の存在の同義である。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *基板 ,  熱安定性 ,  立方晶系 ,  *窒化ガリウム ,  角錐 ,  キャラクタリゼーション ,  *MOCVD ,  パターン形成 ,  *バッファ層
準シソーラス用語： 高密度 ,  反射率測定 ,  *GaAs基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ap ,  MOVPE ,  GaN ,  成長 ,  配向 ,  バッファ層 ,  厚さ