文献

J-GLOBAL ID：202202255499410859   整理番号：22A0986792

超伝導ハイブリッドデバイス用のTeドープ選択領域成長InAsナノワイヤ【JST・京大機械翻訳】

Te-doped selective-area grown InAs nanowires for superconducting hybrid devices

著者 (24件)： Perla Pujitha (Peter Gruenberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Perla Pujitha (JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Juelich-Aachen Research Alliance, Forschungszentrum Juelich and RWTH Aachen University, 52425 Juelich, Germany) ,  Faustmann Anton (Peter Gruenberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Faustmann Anton (JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Juelich-Aachen Research Alliance, Forschungszentrum Juelich and RWTH Aachen University, 52425 Juelich, Germany) ,  Kolling Sebastian (Department of Engineering Physics, Ecole Polytechnique de Montreal, C.P. 6079, Succ. Centre-Ville, Montreal, Quebec, Canada H3C 3A7) ,  Zellekens Patrick (Peter Gruenberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Zellekens Patrick (JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Juelich-Aachen Research Alliance, Forschungszentrum Juelich and RWTH Aachen University, 52425 Juelich, Germany) ,  Deacon Russell (RIKEN Center for Emergent Matter Science and Advanced Device Laboratory, 351-0198 Saitama, Japan) ,  Aruni Fonseka H. (Department of Physics, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom) ,  Kolzer Jonas (Peter Gruenberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Kolzer Jonas (JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Juelich-Aachen Research Alliance, Forschungszentrum Juelich and RWTH Aachen University, 52425 Juelich, Germany) ,  Sato Yuki (Peter Gruenberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Sato Yuki (JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Juelich-Aachen Research Alliance, Forschungszentrum Juelich and RWTH Aachen University, 52425 Juelich, Germany) ,  Sato Yuki (Faculty of Science and Engineering Department of Electronics, Doshisha University, Doshisha University, Kyotanabe, Kyoto 610-0321, Japan) ,  Sanchez Ana M. (Department of Physics, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom) ,  Moutanabbir Oussama (Department of Engineering Physics, Ecole Polytechnique de Montreal, C.P. 6079, Succ. Centre-Ville, Montreal, Quebec, Canada H3C 3A7) ,  Ishibashi Koji (RIKEN Center for Emergent Matter Science and Advanced Device Laboratory, 351-0198 Saitama, Japan) ,  Gruetzmacher Detlev (Peter Gruenberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Gruetzmacher Detlev (Peter Gruenberg Institut (PGI-10), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Gruetzmacher Detlev (JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Juelich-Aachen Research Alliance, Forschungszentrum Juelich and RWTH Aachen University, 52425 Juelich, Germany) ,  Lepsa Mihail Ion (Peter Gruenberg Institut (PGI-10), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Lepsa Mihail Ion (JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Juelich-Aachen Research Alliance, Forschungszentrum Juelich and RWTH Aachen University, 52425 Juelich, Germany) ,  Schaepers Thomas (Peter Gruenberg Institut (PGI-9), Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Schaepers Thomas (JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Juelich-Aachen Research Alliance, Forschungszentrum Juelich and RWTH Aachen University, 52425 Juelich, Germany)
資料名： Physical Review Materials  (Physical Review Materials)
巻： 6  号： 2  ページ： 024602  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3690A  ISSN： 2475-9953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤは,Majorana物理および量子計算のための超伝導ハイブリッドデバイスにおける多用途部品として浮上している。ナノワイヤの輸送特性は,電界効果またはドーピングによって調整できた。テルルを用いたn型ドーピングによって修飾した一連のInAsナノワイヤを調べた。また,電子顕微鏡研究に加えて,ワイヤを原子プローブトモグラフィーで調べ,Te原子の局所取込に関する情報を得た。Te原子は,主にナノワイヤのコアと{110}サイドファセットのコーナーに蓄積することが分かった。n型ドーピングの効率も輸送測定により確認した。実証ハイブリッドデバイスとして,Josephson接合を弱いリンクとしてナノワイヤを用いて作製した。対応する測定は,ドーパント濃度の増加による臨界電流の明らかな増加を示した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *超伝導 ,  電子顕微鏡観察 ,  電場効果 ,  臨界電流 ,  特性 ,  *テルル ,  *ヒ化インジウム ,  *ドーピング ,  *金属線 ,  ドーパント ,  Josephson接合 ,  *ナノワイヤ ,  量子計算
準シソーラス用語： 輸送特性 ,  原子プローブトモグラフィー ,  半導体ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 伝導 ,  Te ,  ドープ ,  領域成長 ,  InAs ,  ナノワイヤ