試料ホルダー設計改善によるニオブのSIMS深さプロファイル測定の改良定量化と粒子配向効果のキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Angle Jonathan W.; Lechner Eric M.; Palczewski Ari D.; Reece Charles E.; Stevie Fred A.; Kelley Michael J.

文献

J-GLOBAL ID：202202255803095588 整理番号：22A1043682

試料ホルダー設計改善によるニオブのSIMS深さプロファイル測定の改良定量化と粒子配向効果のキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Improved quantitation of SIMS depth profile measurements of niobium via sample holder design improvements and characterization of grain orientation effects

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資料名：
巻： 40 号： 2 ページ： 024003-024003-8 発行年： 2022年
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

「Nドープ」不純物合金化ニオブと他の表面合金化材料に対するSIMS分析の重要性は増え続けている。主要なハードルは試料表面トポグラフィーあるいは試料ホルダー自体からの試料高さの変化による機器キャリブレーションの不確実性である。CAMECA試料ホルダー設計は,多くのタイプの試料を分析できる。しかし,欠点は,ホルダー面板が曲げることができ,SIMS結果を定量化するのに用いる相対感度因子(RSF)の不確実性に寄与することである。ここでは,たわみを防ぎ,不確実性を低減する,補強面板を持つ改良試料ホルダーについて述べた。シミュレーションは,新しい設計が10μmから5nmまでたわみを著しく減少させることを示した。試料測定は,この源からのRSF不確実性の4.1%から0.95%への減少を示した。結晶粒方位は,RSF測定にも影響すると長い間考えられてきた。ランダム配向および[001]結晶粒から成る双結晶インプラント標準を,分析間で連続的に15°回転させた。ランダム配向粒上で行った解析の20%は,遅いスパッタ速度と同様に異常に高いRSF値を示した。これらの特徴は,一次Cs+ビームに関して変化する結晶粒法線方向と関連していた。RSFの上昇に伴う結晶粒方位をシミュレートし,[101]結晶面であると決定し,イオンチャネリングがRSFの著しい増加の原因であることを示した。集束イオンビーム分析は,基本的な結晶学的方位に対するより遅いスパッタ速度を確認し,イオンチャネリングが各々起こることを示した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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酸化物薄膜 , 固体デバイス製造技術一般 , その他の無機化合物の薄膜

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