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J-GLOBAL ID：202202255809971594   整理番号：22A1091069

抵抗スイッチングデバイスにおける変動性推定,数値的および運動論的モンテカルロ展望【JST・京大機械翻訳】

Variability estimation in resistive switching devices, a numerical and kinetic Monte Carlo perspective

著者 (8件)： Maldonado D. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Universidad de Granada, Facultad de Ciencias, Avd. Fuentenueva s/n, 18071, Granada, Spain) ,  Aldana S. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Universidad de Granada, Facultad de Ciencias, Avd. Fuentenueva s/n, 18071, Granada, Spain) ,  Gonzalez M.B. (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Carrer dels Til・lers, s/n. Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain) ,  Jimenez-Molinos F. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Universidad de Granada, Facultad de Ciencias, Avd. Fuentenueva s/n, 18071, Granada, Spain) ,  Ibanez M.J. (Departamento de Matematica Aplicada, Universidad de Granada, Facultad de Ciencias, Avd. Fuentenueva s/n, 18071 Granada, Spain) ,  Barrera D. (Departamento de Matematica Aplicada, Universidad de Granada, Facultad de Ciencias, Avd. Fuentenueva s/n, 18071 Granada, Spain) ,  Campabadal F. (Institut de Microelectronica de Barcelona, IMB-CNM (CSIC), Carrer dels Til・lers, s/n. Campus UAB, 08193 Bellaterra, Spain) ,  Roldan J.B. (Departamento de Electronica y Tecnologia de Computadores, Universidad de Granada, Facultad de Ciencias, Avd. Fuentenueva s/n, 18071, Granada, Spain)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 257  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗メモリ(抵抗ランダムアクセスメモリ,RRAM)の変動性を解析し,速度モンテカルロ技術に基づく実験測定およびシミュレーションを処理するための先進数値技術を利用した。本研究で用いたデバイスは窒化チタン/Ti/HfO_2/Wスタックを用いて作製した。スイッチングパラメータを得て,新規開発抽出法を利用した。先進パラメータ抽出方法論の妥当性を,速度論的モンテカルロシミュレーションと比較してチェックした。特に,リセットとセットイベントを研究し,検出した。得られたデータを用いて抵抗スイッチング動作とサイクルサイクル変動を明らかにした。変動性は,セットとリセット電圧を得るために用いた数値技術に依存し,従って,この問題はRSキャラクタリゼーションとモデリング研究において考慮されなければならない。提案手法は相補的であり,技術と曲線形状に依存して,特定の方法の特徴を最も適切とすることができる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *モンテカルロ法 ,  シミュレーション ,  スイッチング ,  電圧 ,  変動 ,  記憶素子 ,  *スイッチング素子 ,  抵抗 ,  速度論 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  パラメータ抽出 ,  モンテカルロシミュレーション ,  サイクル変動 ,  *抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  抵抗メモリ ,  リセット電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 抵抗スイッチングメモリ ,  RRAM ,  パラメータ抽出 ,  運動論的モンテカルロシミュレーション ,  変動性 ,  モデリング ,  数値技術

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 抵抗スイッチング ,  変動性 ,  推定 ,  数値 ,  運動論的モンテカルロ ,  展望