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J-GLOBAL ID：202202256706574850   整理番号：22A0553309

ポリSiチャネルベース3D NANDフラッシュメモリにおけるZ干渉の調査とモデリング【JST・京大機械翻訳】

Investigation and Modeling of Z-Interference in Poly-Si Channel-Based 3-D NAND Flash Memories

著者 (3件)： Jo Hyungjun (Inter-University Semiconductor Research Center, School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Ahn Sangmin (Inter-University Semiconductor Research Center, School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Shin Hyungcheol (Inter-University Semiconductor Research Center, School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 2  ページ： 543-548  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,3D電荷トラップ窒化物(CTN)NANDフラッシュメモリにおけるZ干渉を,技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションを用いて調べた。3-D CTN NANDフラッシュメモリにおいて,Z干渉は隣接単語ライン(WL)プログラミングによって引き起こされる。隣接WLがプログラムされたとき,窒化物層誘起障壁増強(NIBE)と窒化物層中の電荷拡散効果は,犠牲WLの閾値電圧(V_t)シフトを引き起こす。また,電荷拡散効果に起因するZ干渉の犠牲WLプログラム状態依存性を調べた。単結晶Siチャネルでは,ドレインバイアス誘起障壁低下(DIBL)効果によるプログラム配列依存性がある。しかし,ポリSiチャネルは結晶粒界のため異なる特性を有している。したがって,ポリSi結晶粒界(GB)トラップ位置ランダム性とGBトラップ密度変化によるZ干渉を解析した。最後に,Z干渉を統合回路強調(SPICE)によるシミュレーションプログラムを用いてモデル化し,Z干渉によるV_t分布をモンテカルロシミュレーションを用いてモデル化した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *干渉 ,  結晶粒界 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  電荷 ,  CAD【計算機】 ,  窒化物 ,  *モデリング ,  *三次元 ,  *フラッシュメモリ ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  閾値電圧 ,  TCAD ,  電荷捕獲 ,  *NANDフラッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ポリSi ,  チャネル ,  3D ,  NANDフラッシュメモリ ,  干渉 ,  調査 ,  モデリング