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J-GLOBAL ID：202202257393279852   整理番号：22A0791319

自己集合単分子層の遠隔ドーピングによるエネルギーバンド工学は高性能IGZO/p-Siヘテロ構造光検出器を導く【JST・京大機械翻訳】

Energy-Band Engineering by Remote Doping of Self-Assembled Monolayers Leads to High-Performance IGZO/p-Si Heterostructure Photodetectors

著者 (8件)： Woo Gunhoo (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Korea) ,  Lee Dong Hyun (Department of Electronic Engineering, Gachon University, 1342 Seongnam-daero, Seongnam, 13120, Korea) ,  Heo Yeri (Department of Electronic Engineering, Gachon University, 1342 Seongnam-daero, Seongnam, 13120, Korea) ,  Kim Eungchul (School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Korea) ,  On Sungmin (XFEL Accelerator Department, Pohang Accelerator Laboratory, Pohang, 37673, Korea) ,  Kim Taesung (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Korea) ,  Kim Taesung (School of Mechanical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Korea) ,  Yoo Hocheon (Department of Electronic Engineering, Gachon University, 1342 Seongnam-daero, Seongnam, 13120, Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 34  号： 6  ページ： e2107364  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物半導体は,先進光検出器を可能にするために非常に興味深い。しかし,操作上の不安定性と適切なドーピング技術の欠如は,実際の開発と商業化を妨げる。ここでは,従来の光検出性能を劇的に増加させるための戦略を提案し,操作および環境雰囲気中で優れた安定性を有する。オクタデシルホスホン酸(ODPA)自己集合単一層ベースドーピング処理によるエネルギーバンド工学を実行することにより,提案したインジウム-ガリウム-亜鉛オキシド(IGZO)/p-Siヘテロ界面素子は,光スイッチング電流比100倍増加,光応答性と検出性を含む光応答性特性を大きく増強し,それぞれ15倍の増大を示した。観測したODPAドーピング効果をX線光電子分光法(XPS),原子間力顕微鏡(AFM)およびKelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)による包括的分析により調べた。さらに,4つのウエハスケールで製作した提案した光検出器は,237日と20000回の試験サイクルにわたって一貫した性能で優れた動作ロバスト性を示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応答 ,  *光検出器 ,  酸化物 ,  *ドーピング ,  *素子構造 ,  ウエハ【IC】 ,  X線光電子分光法 ,  ロバスト性 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *エネルギー帯 ,  光応答 ,  *ヘテロ構造 ,  *自己集合単分子膜 ,  オンオフ比 ,  ヘテロ界面 ,  ドーピング効果 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電気ドーピング ,  ヘテロ構造 ,  負性微分抵抗 ,  光検出器 ,  フォトダイオード

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己集合単分子層 ,  ドーピング ,  エネルギーバンド ,  工学 ,  IGZO ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  光検出器