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J-GLOBAL ID：202202258053160246   整理番号：22A0388994

MFIS負性容量FDSOI FETにおける負性微分抵抗を緩和するBOX工学:アナログ展望【JST・京大機械翻訳】

BOX engineering to mitigate negative differential resistance in MFIS negative capacitance FDSOI FET: an analog perspective

著者 (9件)： Chauhan Nitanshu (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India) ,  Chauhan Nitanshu (Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Uttarakhand, Srinagar Pauri Garhwal, India) ,  Bagga Navjeet (PDPM IIITDM Jabalpur, India) ,  Banchhor Shashank (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India) ,  Garg Chirag (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India) ,  Sharma Arvind (University of Minnesota, United States of America) ,  Datta Arnab (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India) ,  Dasgupta S (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India) ,  Bulusu Anand (Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 8  ページ： 085203 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日まで,負の微分抵抗(NDR)の既存の理解を金属-ferro-金属-絶縁体-半導体(MFMIS)FETから得,MFMISと金属-ferro-絶縁体-半導体(MFIS)ベースのNCFETの両方に利用した。しかし,MFISアーキテクチャでは,強誘電性キャパシタンス(C_FE)は集中容量ではない。したがって,MFISの負容量(NC)デバイスでは,NDR機構を支配する物理的説明が必要である。本研究では,初めて,MFIS NC FDSOIにおけるNDR効果の第一原理説明を示した。ソース電圧(V_DS)に対するドレインによる出力電流変動(即ち,g_ds)は主に2つのパラメータに依存することを見出した:(a)V_DS依存反転電荷勾配(∂n/∂V_DS);(b)V_DS感受性電子速度(∂v/∂V_DS)とこれら2つの依存性の複合効果はNDRをもたらす。さらに,NDR効果を緩和するために,BOX工学NC FDSOI FETを提案し,その中で,埋込み酸化物(BOX)層を強誘電体(FE)層とSiO_2層に細分した。そうすることによって,チャネルにおける反転電荷はBOX工学FE層によって強化され,次にNDRを緩和し,最小正勾配を持つほぼゼロg_dsを得た。十分に較正されたTCADシミュレーションを通して,得られた正のg_dsを利用して,アナログ回路の重要な部分であるV_DS独立定電流ミラーを設計した。さらに,素子性能に及ぼすFEパラメータ(残留分極と抗電場)変化の影響を論じた。また,得られた結果をNCベースデバイスに関する既存の文献と比較し,提案した構造がNDRの完全な減少を示し,アナログ回路設計での使用を可能にすることを正当化した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強誘電体 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  電荷 ,  *半導体 ,  酸化物 ,  強誘電性 ,  静電容量 ,  計算機アーキテクチャ ,  抗電場 ,  残留分極 ,  アナログ回路
準シソーラス用語： *微分抵抗 ,  *負性微分抵抗 ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (9件)： 負性容量 ,  FDSOI ,  FET ,  負性微分抵抗 ,  緩和 ,  BOX ,  工学 ,  アナログ ,  展望