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J-GLOBAL ID：202202258606244037   整理番号：22A0427737

薄膜メムリスティブ応用のための水素化非晶質半導体における温度依存キャリア輸送【JST・京大機械翻訳】

Temperature Dependent Carrier Transport in Hydrogenated Amorphous Semiconductors for Thin Film Memristive Applications

著者 (2件)： Chakraverty Mayank (VIT University, School of Electronics Engineering (SENSE) Vellore India) ,  Ramakrishnan V.N. (VIT University, School of Electronics Engineering (SENSE) Vellore India)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 1048  ページ： 182-188  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,異なる温度での2つの異なる水素化非晶質半導体材料における電子と正孔キャリアの輸送を実証した。結晶材料と比較して,非晶質半導体は構造的に,光学的および電気的に異なり,従って,このような非晶質材料を通るキャリア輸送の性質が異なる。水素化非晶質シリコンと非晶質IGZOのような材料を,本論文で温度依存キャリア輸送の研究に用いた。自由電子と正孔濃度,トラップ電子と正孔濃度の変動を,両材料に対して300Kでエネルギーで示すシミュレーション結果を示した。Fermi準位の変化に伴う移動度の変化を異なる温度でプロットした。水素化非晶質シリコンおよび非晶質IGZOにおける電子および正孔のBrown運動移動度に及ぼす温度の影響を,本論文の最後に実証した。Copyright 2022 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  シミュレーション ,  正孔 ,  *薄膜 ,  ケイ素 ,  *水素化 ,  *温度依存性 ,  *非晶質 ,  Fermi準位 ,  *非晶質半導体 ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： 自由電子 ,  *キャリア輸送 ,  正孔濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (10件)： 結晶 ,  水素化 ,  シリコン ,  IGZO ,  アモルファス半導体 ,  Brown運動移動度 ,  遊離Electron濃度 ,  捕捉Electron濃度 ,  自由正孔濃度 ,  トラップされた正孔濃度

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜 ,  応用 ,  水素化 ,  非晶質半導体 ,  温度依存 ,  キャリア輸送