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J-GLOBAL ID：202202258865579491   整理番号：22A0799224

非対称トンネルFETのサブ閾値特性の解析的モデリングとTCADシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Analytical modeling and TCAD simulation for subthreshold characteristics of asymmetric Tunnel FET

著者 (3件)： Talukdar Jagritee (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India) ,  Rawat Gopal (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Hamirpur, Himachal Pradesh, India) ,  Mummaneni Kavicharan (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Silchar, Assam, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 142  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二重材料ソースTFET(NUTFET-DMS)デバイスを有する非Uniform bodyとして知られる非対称トンネルFETのための2D解析モデルを開発した。提案したモデル定式化は,適切な境界条件を用いたPoisson方程式の解に基づいている。表面電位,横方向,垂直電場,ドレイン電流および閾値電圧のような多数のデバイスパラメータに対して,サブ閾値特性のための導出モデルを提案した。本研究では,デバイスの異なる部分において,チャネル,ゲート誘電体厚さ,誘電体定数および酸化物容量の有名な不均一性質を説明した。次に,モデルの正確さを検証するために,較正モデルによるSentaurus TCADを用いたデバイスシミュレーションを報告し,85~95%の精度との密接な一致を観測した。応用バイアスの種々のケース,デバイス寸法の変化,酸化物材料などを研究することによって,詳細で系統的なデバイス分析を提示した。提案したTFETデバイスは,トンネル接合の近くで±5MV/cmの垂直および横方向電場を得ることができ,10-5A/μmのオーダーのドレイン電流を意味することが報告されている。本研究は,提案したTFETが低待機電力論理と低電力応用に対して大きな可能性を提供することを明らかにした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電場 ,  電流 ,  計算機シミュレーション ,  *CAD【計算機】 ,  酸化物 ,  *非対称性 ,  トンネル接合 ,  *モデリング ,  二次元 ,  パラメータ ,  ソース【半導体】 ,  解析モデル ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  *TCAD ,  デバイスシミュレーション ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 解析的モデリング ,  Poisson方程式 ,  TFET ,  バンドからバンドへのトンネリング ,  放物近似

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非対称 ,  トンネルFET ,  サブ閾値 ,  解析 ,  モデリング ,  TCAD ,  シミュレーション