文献

J-GLOBAL ID：202202259438438002   整理番号：22A0434756

DRAMキャパシタ誘電応用のためのカクテル前駆体を用いた原子層蒸着により蒸着したYドープHfO_2【JST・京大機械翻訳】

Y-doped HfO₂ deposited by atomic layer deposition using a cocktail precursor for DRAM capacitor dielectric application

著者 (12件)： Kim Jenam (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, And Integrated Education Program for Frontier Science & Technology (BK21 Four), Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi, 17104, South Korea) ,  Kim Byung Seok (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, And Integrated Education Program for Frontier Science & Technology (BK21 Four), Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi, 17104, South Korea) ,  Lee Ae Jin (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, And Integrated Education Program for Frontier Science & Technology (BK21 Four), Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi, 17104, South Korea) ,  Han Dong Hee (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, And Integrated Education Program for Frontier Science & Technology (BK21 Four), Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi, 17104, South Korea) ,  Hwang Ji Hyeon (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, And Integrated Education Program for Frontier Science & Technology (BK21 Four), Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi, 17104, South Korea) ,  Hwang Ji Hyeon (Soft Hybrid Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, South Korea) ,  Kim Youngjin (Soft Hybrid Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, South Korea) ,  Song Ki-Chang (Advanced Research Development Team, SK Trichem Co. Ltd., Sejong, 30068, South Korea) ,  Oh Hansol (Advanced Research Development Team, SK Trichem Co. Ltd., Sejong, 30068, South Korea) ,  Kim Sangho (Advanced Research Development Team, SK Trichem Co. Ltd., Sejong, 30068, South Korea) ,  Park Yongjoo (Advanced Research Development Team, SK Trichem Co. Ltd., Sejong, 30068, South Korea) ,  Jeon Woojin (Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, And Integrated Education Program for Frontier Science & Technology (BK21 Four), Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi, 17104, South Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 3  ページ： 3236-3242  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DRAMキャパシタ誘電体応用のためのカクテル前駆体を用いて堆積したYドープHfO_2薄膜を調べた。その単斜晶相結晶構造から,約20の低い誘電定数のため,実際のデバイスに典型的な薄膜堆積法によって堆積された潜在的高誘電率材料であるHfO_2を適応させることは困難であった。約40の誘電率を有する正方晶相への結晶構造変換によって誘電率を増加させるいくつかの方法を研究したが,単斜晶相の形成はうまく抑制されなかった。本研究では,HfO_2薄膜の正方晶相形成をYとHf前駆体から成るカクテル前駆体を用いて調べた。YドープHfO_2薄膜における単斜晶形成抑制機構を物理的および化学的解析結果から決定した。さらに,Yドーパント濃度に関して導入した酸素空孔に起因する漏れ電流変化を調べた。YドープHfO_2を用いて,誘電率と漏れ電流の改善された電気特性を達成した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  *コンデンサ ,  薄膜 ,  誘電体 ,  誘電率 ,  *ハフニウム ,  *ドーピング ,  漏れ電流 ,  酸化ハフニウム ,  単斜晶系 ,  正方晶系 ,  *前駆体 ,  ドーパント ,  *DRAM
準シソーラス用語： 酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 酸化ハフニウム ,  酸化イットリウム ,  カクテル前駆体 ,  原子層蒸着 ,  絶縁体 ,  酸素空孔 ,  相変態 ,  ドーパント

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： DRAM ,  キャパシタ ,  応用 ,  カクテル ,  前駆体 ,  原子層蒸着 ,  蒸着 ,  ドープ