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J-GLOBAL ID：202202259662886685   整理番号：22A0492431

優先結晶方位を有する高性能SnSe_2熱電薄膜の作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of high-performance SnSe₂ thermoelectric thin films with preferred crystallographic orientation

著者 (4件)： Heo Seung Hwae (Department of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, South Korea) ,  Baek Seongheon (Department of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, South Korea) ,  Shin Tae Joo (Graduate School of Semiconductor Materials and Devices Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, South Korea) ,  Son Jae Sung (Department of Materials Science and Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST), Ulsan 44919, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 2  ページ： 023901-023901-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSe_2は,n型半導体が,高い熱電(TE)性能を示すので,非常に興味深い。材料の熱電特性は高度に異方性であるので,微細構造における結晶学的方位の制御はTE性能を高めるための重要な要因の1つである。しかし,優先結晶方位を有するSnSe_2の報告は,製作の困難さのために制限されてきた。この課題の解決策として,本研究では,組織化SnSe_2薄膜の溶液処理作製を報告する。熱処理最適化に続いて,薄膜はa-b面において例外的に強い結晶学的配向秩序を有し,X線回折分析で実証された。さらに,処理条件による制御欠陥形成は,約1020cm-3の高い電子濃度を実現した。特に,SnSe_2薄膜の微細構造がそれらの電子輸送特性を決定し,電子移動度がより強い結晶学的方位と共に増加することを示した。最後に,最適構造を有する薄膜は,3.69μWcm-1K-2の熱電力率の向上を示した。著者らの知見は,高異方性材料の熱電および電子特性を強化する方法を提供する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  最適化 ,  熱処理 ,  *薄膜 ,  微細構造 ,  *結晶方位 ,  X線回折分析 ,  N型半導体
準シソーラス用語： 熱電能 ,  電子移動度 ,  輸送特性 ,  熱電特性 ,  電子濃度 ,  欠陥形成 ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 優先 ,  結晶方位 ,  高性能 ,  薄膜 ,  作製