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J-GLOBAL ID：202202259699362636   整理番号：22A0553304

ドープGaN平面Gunnダイオードの作製のためのエピ層設計の最適化【JST・京大機械翻訳】

Optimization of the Epilayer Design for the Fabrication of Doped GaN Planar Gunn Diodes

著者 (5件)： Garcia-Sanchez S. (Departamento de Physics and Mathematics, University of Alcala ́ de Henares, Madrid, Spain) ,  Iniguez-de-la-Torre I. (Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain) ,  Perez S. (Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain) ,  Gonzalez T. (Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain) ,  Mateos J. (Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 2  ページ： 514-520  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)平面Gunnダイオードのモンテカルロシミュレーションにより,超高周波数振動を達成するために,作製したエピ層構造を最適化した。技術的製造プロセスの限界やデバイスに出現すると予想される巨大な自己加熱効果の緩和のような実際的考察も,最適なエピ層パラメータの選択のために,テンプレートされた。最良の結果は,5x10SiW18Ωcm-3のドーピングで150nmの活性層厚さに対して得られ,それは0.5Ωμmの接触分離を用いるとき,350GHzのGunn振動を提供するであろう。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *最適化 ,  シミュレーション ,  *Gunnダイオード ,  *ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  活性層 ,  生産工程
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  自己加熱 ,  *エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  GaN ,  Gunnダイオード ,  作製 ,  エピ層 ,  設計 ,  最適化