Garcia-Sanchez S. について
Departamento de Physics and Mathematics, University of Alcala ́ de Henares, Madrid, Spain について
Iniguez-de-la-Torre I. について
Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain について
Perez S. について
Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain について
Gonzalez T. について
Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain について
Mateos J. について
Applied Physics Department and USAL-NANOLAB, University of Salamanca, Salamanca, Spain について
IEEE Transactions on Electron Devices について
最適化 について
シミュレーション について
Gunnダイオード について
ドーピング について
窒化ガリウム について
活性層 について
生産工程 について
モンテカルロシミュレーション について
自己加熱 について
エピタキシャル層 について
トランジスタ について
ドープ について
GaN について
Gunnダイオード について
作製 について
エピ層 について
設計 について
最適化 について